本發(fā)明公開(kāi)了一種化學(xué)摻雜碳制備高阻值埋嵌式電阻的方法。通過(guò)采用阻值添加劑提供C源摻雜Ni?P薄膜進(jìn)行化學(xué)改性,制備了在樹(shù)脂基板上沉積Ni?P?C的三元合金高阻值材料。經(jīng)測(cè)試,該材料制備的方塊電阻高達(dá)400Ω以上,通過(guò)輔予在線監(jiān)控電阻器的方法,實(shí)現(xiàn)制備誤差控制在10%以內(nèi)的目標(biāo)。本發(fā)明公開(kāi)的方法有效地解決了常規(guī)Ni?P、Ni?Cr等金屬電阻存在的阻值小、功能值不穩(wěn)定的難題,并降低了高頻通信下信號(hào)傳輸?shù)膿p耗與寄生效應(yīng)。
聲明:
“化學(xué)摻雜碳制備高阻值埋嵌式電阻的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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