本發(fā)明提供的一種通過金屬氧化物檢測氣體的傳感器的制造方法及傳感器,包括如下步驟:包括如下步驟:在硅片襯底上用等離子體增強化學氣相沉積法淀積第一氧化硅薄膜層;對第一金屬薄膜層進行干法刻蝕,在第一金屬薄膜層上刻出加熱電阻層圖形;在第二金屬薄膜層上面用物理氣相沉積法淀積第三金屬薄膜層,并對第三金屬薄膜層進行光刻和干法刻蝕;利用干法或濕法刻蝕位于第二接觸孔下方與第二接觸孔對應的第二氧化硅薄膜層;在光刻膠上及第二接觸孔內(nèi)用物理氣相沉積法淀積金屬氧化物薄膜層。本發(fā)明的有益效果如下:可以精確檢測環(huán)境氣體的成分和濃度。因此可以降低制造成本,減少產(chǎn)品的體積和功耗,增加可靠性和一致性,提高產(chǎn)品的靈敏度和精度。
聲明:
“通過金屬氧化物檢測氣體的傳感器的制造方法及傳感器” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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