本發(fā)明提供一種提高氧化物半導(dǎo)體基光電探測器性能的方法及所得到的氧化物半導(dǎo)體基光電探測器,該方法對基片上的有源層材料表面進(jìn)行氟元素?fù)诫s,從而填充制備有源層材料過程中產(chǎn)生的氧空位,然后制作電極形成光電探測器,氟元素?fù)诫s使得光電探測器的探測率提高、恢復(fù)時間縮短,有源層材料為氧化物半導(dǎo)體;本發(fā)明對氧化物半導(dǎo)體薄膜的表面進(jìn)行氟元素?fù)诫s來填充氧空位,即電極/半導(dǎo)體之間的界面缺陷,進(jìn)而改善氧化物半導(dǎo)體基光電探測器性能;氟相較于氧具有更大的電負(fù)性,能與鎵結(jié)合形成更為穩(wěn)定的化學(xué)鍵,即鎵?氟鍵,因此能更加有效地對氧空位進(jìn)行填充;氟表面摻雜不會影響到材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),且摻雜劑量可控、工藝簡單、降低工藝兼容性。
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“氧化物半導(dǎo)體基光電探測器及提高其性能的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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