本發(fā)明公開了一種電極合成材料及其制配方法,以還原氧化
石墨烯(rGO)為基底,以鉬酸銨為鉬源,以硫脲為硫源,在還原氧化石墨烯(rGO)表面生長(zhǎng)MoS
2,形成MoS
2?rGO
復(fù)合材料,并將MoS
2?rGO復(fù)合材料涂到GCE電極表面形成復(fù)合電池
負(fù)極材料層(MoS2?rGO)。本發(fā)明通過制備MoS
2?rGO復(fù)合物,并研究其
電化學(xué)性能,確定rGO的復(fù)合使得MoS
2能形成具有良好分散性的花狀結(jié)構(gòu);同時(shí)電化學(xué)測(cè)試表明rGO的復(fù)合不僅提高了MoS
2的導(dǎo)電性,還增強(qiáng)了MoS
2的電化學(xué)穩(wěn)定性。本發(fā)明將MoS
2?rGO復(fù)合物制作成修飾電極,首次應(yīng)用于GA?AgNPs的電化學(xué)研究及檢測(cè)。由于MoS
2對(duì)AgNPs良好的吸附性以及MoS
2?rGO/GCE較大的電化學(xué)活性面積,使得MoS
2?rGO/GCE對(duì)GA?AgNPs的電化學(xué)信號(hào)表現(xiàn)出明顯的增強(qiáng)作用。
聲明:
“電極合成材料及其制配方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)