本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體柵極版圖及其修正方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，所述半導(dǎo)體柵極版圖修正方法，包括：提供包括若干柵極圖形的半導(dǎo)體柵極版圖，所述半導(dǎo)體柵極版圖包括第一區(qū)塊和第二區(qū)塊，所述第一區(qū)塊對(duì)應(yīng)于晶體管形成區(qū)，所述第二區(qū)塊對(duì)應(yīng)于二極管形成區(qū)；對(duì)第一區(qū)塊進(jìn)行檢測(cè)，若在預(yù)定面積的區(qū)域內(nèi)柵極圖形總面積小于標(biāo)準(zhǔn)面積，則在所述預(yù)定面積的區(qū)域內(nèi)、對(duì)應(yīng)第一淺溝槽隔離區(qū)的位置添加第一偽柵極圖形；對(duì)第二區(qū)塊進(jìn)行檢測(cè)，若在預(yù)定面積的區(qū)域內(nèi)柵極圖形總面積小于標(biāo)準(zhǔn)面積，則在所述預(yù)定面積的區(qū)域內(nèi)、對(duì)應(yīng)極區(qū)的位置添加第二偽柵極圖形。能夠改善化學(xué)機(jī)械拋光的工藝可靠性和均勻度，保持二極管集成度，降低芯片成本。