本公開的實(shí)施方式包括與處理用于制造III族金屬氮化物和鎵基襯底的材料的技術(shù)相關(guān)的技術(shù)。更具體地,本公開的實(shí)施方式包括用于使用處理技術(shù)的組合來生長大面積襯底的技術(shù)。僅以舉例的方式,本公開可應(yīng)用于生長GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN和AlInGaN等的晶體以制造塊狀襯底或圖案化襯底。這種塊狀襯底或圖案化襯底可用于多種應(yīng)用,包括光電器件和電子器件、激光器、發(fā)光二極管、
太陽能電池、光
電化學(xué)水分解和氫氣產(chǎn)生、光電檢測器、集成電路和晶體管等。
聲明:
“改進(jìn)的III族氮化物襯底、制備方法和使用方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)