本發(fā)明公開了一種納米級(jí)超微電極及超微傳感器的制造方法。本發(fā)明采用離子束刻蝕技術(shù),制得的電極尺寸的最小直徑可達(dá)30nm。和已有的制備技術(shù)相比,用本法制備的納米電極具有尺寸可控。由于采用離子束將電極表面的原子一個(gè)個(gè)打掉,電極的表面干凈、光滑,具有分子級(jí)的平整度;電極機(jī)械強(qiáng)度高,可用于單個(gè)細(xì)胞內(nèi)的測(cè)試。提出用電聚合絕緣化方法,制得了納米級(jí)盤電極。電極的
電化學(xué)性能優(yōu)良。提出在真空情況下封合支撐體與電極材料的方法,避免了電極的污染。首次在納米電極上進(jìn)行化學(xué)修飾,制備成功了納米級(jí)超微pH傳感器。
聲明:
“納米級(jí)超微電極及超微傳感器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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