本發(fā)明公開了一種CdS/MoS2/Mo雙層核殼結(jié)構(gòu)光電極的制備方法,步驟如下:以鉬網(wǎng)作為基底,以可溶性鎘鹽作為鎘源,將金屬鎘沉積在鉬網(wǎng)上,將沉積好的鉬網(wǎng)置于硫化氫氣氛中進(jìn)行硫化,即得到CdS/MoS2/Mo雙層核殼結(jié)構(gòu)光電極。本發(fā)明制備的CdS/MoS2/Mo雙層核殼結(jié)構(gòu)光電極的光電轉(zhuǎn)化效率高,有較大的應(yīng)用前景。經(jīng)實驗研究發(fā)現(xiàn)CdS/MoS2/Mo雙層核殼結(jié)構(gòu)光電極光
電化學(xué)產(chǎn)氫性能,在光電化學(xué)測試中光電流超過三毫安,在主要吸光區(qū)域光電轉(zhuǎn)化效率接近20%,性能優(yōu)于傳統(tǒng)FTO玻璃上制備的硫化鎘電極。
聲明:
“CdS/MoS2/Mo雙層核殼結(jié)構(gòu)光電極” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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