一種薄膜瞬時應力的計算方法,包括下述的步驟:在基底上進行薄膜沉積試驗,并實時測量基底曲率半徑R與沉積層厚度h
f;根據(jù)下式計算第i時刻的薄膜瞬時應力σ
fi。本發(fā)明可適用于基底和薄膜不同彈性模量比及厚度比情況下的應力計算,在電沉積過程中可以準確顯示初始階段的應力變化,可精確得到整個厚度上每一個采樣點的瞬時應力,結果更準確,適用于
電化學沉積、CVD氣相沉積、表面噴涂等領域的薄膜應力計算。
聲明:
“薄膜瞬時應力的計算方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)