本發(fā)明涉及
半導(dǎo)體材料測(cè)量設(shè)備領(lǐng)域,具體涉及一種用于無(wú)損檢測(cè)半導(dǎo)體薄膜霍爾效應(yīng)的基片及其制備方法。本發(fā)明是在拋光基底上沉積圖形化的絕緣膜層,之后在圖形化區(qū)域內(nèi)填充內(nèi)電極、外電極及引線。當(dāng)測(cè)試半導(dǎo)體薄膜霍爾效應(yīng)時(shí),內(nèi)電極上表面與被測(cè)薄膜下表面形成歐姆接觸,霍爾效應(yīng)儀探針與外電極接觸,外電極和內(nèi)電極由引線導(dǎo)通。因此可避免霍爾效應(yīng)儀探針直接與被測(cè)薄膜表面接觸,實(shí)現(xiàn)無(wú)損測(cè)試。
聲明:
“用于無(wú)損檢測(cè)半導(dǎo)體薄膜霍爾效應(yīng)的基片及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)