公開了一種無損檢測
半導體材料(2)的內(nèi)部缺陷的設備和方法。半導體材料(2)具有長度(L)、橫截面區(qū)(Q)以及與所述長度(L)對齊的側(cè)面(5)。超聲波設備(10)被分配到所述半導體材料(2)。此外,設置在所述超聲波設備(10)和半導體材料(2)的側(cè)面(5)之間產(chǎn)生沿著半導體材料(2)的側(cè)面(5)的長度(L)的相對運動的機構(gòu)(9)。
聲明:
“無損檢測半導體材料內(nèi)部缺陷的方法和設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)