本發(fā)明涉及一種碳化硅基底上的
石墨烯的層數(shù)測量方法。本發(fā)明屬于光譜分析技術(shù)領(lǐng)域。碳化硅基底上的石墨烯的層數(shù)測量方法,工藝步驟:(1)利用熱解外延法在碳化硅的硅面生長出具有厚度層數(shù)的石墨烯樣品;(2)利用X射線光電子能譜對樣品進行測量;(3)利用掃描到的XPS能譜,計算284.5eV處C-C鍵中的C1s電子的衍射光子積分強度,以及282.9eV處Si-C鍵中的C1s電子的衍射光子積分強度;(4)將衍射光子積分強度帶入到衍射光子積分強度與石墨烯厚度的函數(shù)關(guān)系式中,求出樣品的石墨烯厚度;(5)將石墨烯厚度與石墨烯的原子層間距作比,得到樣品石墨烯的層數(shù)。本發(fā)明具有快速、準(zhǔn)確測量,無需將石墨烯從基底上剝離,無損測量,方便器件加工和性能測試等優(yōu)點。
聲明:
“碳化硅基底上的石墨烯的層數(shù)測量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)