本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體深孔刻蝕后的工藝監(jiān)控方法,包括以下步驟:a.提供具有預(yù)定形狀和尺寸的測(cè)試結(jié)構(gòu);b.測(cè)量所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的質(zhì)量,得到容差范圍;c.測(cè)量待監(jiān)控晶圓的質(zhì)量,并與所述容差范圍進(jìn)行比較,若待監(jiān)控晶圓的質(zhì)量值在容差范圍內(nèi),則認(rèn)為深孔的刻蝕深度已經(jīng)達(dá)到要求;若不在容差范圍內(nèi),則深孔的刻蝕深度沒有達(dá)到工藝要求,需要對(duì)刻蝕工藝條件進(jìn)行調(diào)整。本發(fā)明采用無損傷的高精度質(zhì)量量測(cè)方法,通過測(cè)量硅深孔硅刻蝕后的質(zhì)量,來間接表征硅深孔刻蝕深度是否達(dá)到工藝要求。晶圓整片測(cè)量,不需要特定測(cè)試結(jié)構(gòu),方便快捷;且反饋結(jié)果直觀,快速,準(zhǔn)確,且對(duì)晶圓無損傷。
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“半導(dǎo)體深孔刻蝕后的工藝監(jiān)控方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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