本發(fā)明提供了一種GOI失效點(diǎn)的檢測方法,包括:提供待測樣品,待測樣品包括襯底,襯底的表層包括多個(gè)淺溝槽隔離層及由淺溝槽隔離層隔離的多個(gè)實(shí)體部;覆蓋表層的柵氧化層;位于柵氧化層背離襯底一側(cè)的半導(dǎo)體層;及位于半導(dǎo)體層背離襯底一側(cè)的金屬連線層;將襯底背離柵氧化層一側(cè)減薄,直至裸露淺溝槽隔離層;采用電子束照射襯底的裸露所述淺溝槽隔離層的一側(cè),并基于電壓襯度分析法檢測待測樣品的GOI失效點(diǎn)。將襯底進(jìn)行減薄直至裸露實(shí)體部,從而獲取襯底裸露實(shí)體部一側(cè)的電壓襯度圖像;由于無任何結(jié)構(gòu)層對該實(shí)體部背離柵氧化層一側(cè)進(jìn)行遮擋,使得獲取的電壓襯度圖像更加精確,進(jìn)而保證基于電壓襯度分析法對GOI失效點(diǎn)的檢測更加精確。
聲明:
“GOI失效點(diǎn)的檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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