本公開是關于一種存儲器失效測試方法、存儲器失效測試裝置、計算機可讀存儲介質(zhì)及電子設備,涉及集成電路技術領域。該存儲器失效測試方法包括:執(zhí)行存儲器的數(shù)據(jù)寫入動作;數(shù)據(jù)寫入動作包括:在存儲器的存儲陣列內(nèi)的存儲單元中寫入預設存儲數(shù)據(jù),相鄰的兩條字線中,在存儲陣列的后一條字線所對應的存儲單元中寫入與前一條字線所對應的存儲單元的數(shù)據(jù)相反的數(shù)據(jù);重復數(shù)據(jù)寫入動作,直到寫完存儲陣列的所有字線所對應的存儲單元;讀取存儲陣列中的數(shù)據(jù),并與寫入的數(shù)據(jù)進行比較,獲得比較結果;根據(jù)比較結果對存儲器的失效狀態(tài)進行判定。本公開提供一種測試LIO漏電引起的DRAM資料讀取失效的測試方法。
聲明:
“存儲器失效測試方法及裝置、存儲介質(zhì)及電子設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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