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      設(shè)有信號(hào)反彈模塊的3D-SIC過(guò)硅通孔的測(cè)試裝置

      932   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-19 09:00:18
      本發(fā)明公開(kāi)了一種設(shè)有信號(hào)反彈模塊的3D-SIC過(guò)硅通孔的測(cè)試裝置,發(fā)送端和接收端之間通過(guò)多條過(guò)硅通孔TSV相連接;發(fā)送端包括第一被測(cè)芯片、解碼器、控制單元CU、鎖存器D和雙向開(kāi)關(guān)DSW;接收端包括第二被測(cè)芯片和信號(hào)反彈模塊;信號(hào)反彈模塊包括一個(gè)信號(hào)發(fā)生器F、多個(gè)延遲單元M和多個(gè)三態(tài)門;TSV的上端與接收端的延遲單元M和信號(hào)發(fā)生器F相連接;TSV的下端與發(fā)送端的解碼器和雙向開(kāi)關(guān)DSW相連接;解碼器、鎖存器D和雙向開(kāi)關(guān)DSW均與控制單元CU相連接;鎖存器D還與雙向開(kāi)關(guān)DSW相連接。本發(fā)明的3D-SIC過(guò)硅通孔的測(cè)試裝置,具有可有效地解決在3D芯片制造過(guò)程中對(duì)失效TSV進(jìn)行有效檢測(cè)困難的問(wèn)題、面積和實(shí)踐開(kāi)銷較小,功耗較低等優(yōu)點(diǎn)。
      聲明:
      “設(shè)有信號(hào)反彈模塊的3D-SIC過(guò)硅通孔的測(cè)試裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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