本發(fā)明公開了一種金屬互連線電遷移的測試結(jié)構(gòu),包括本征
多晶硅電阻、互連線測試結(jié)構(gòu)、溫度監(jiān)控電阻和層間介質(zhì)層,所述互連線測試結(jié)構(gòu)和所述溫度監(jiān)控電阻相互平行且并排設(shè)置,所述本征多晶硅電阻位于所述層間介質(zhì)層之下,所述互連線測試結(jié)構(gòu)與溫度監(jiān)控電阻位于所述層間介質(zhì)層之上。本發(fā)明還公開了一種金屬互連線電遷移的測試方法,在給本征多晶硅電阻通電流使互連線測試結(jié)構(gòu)周圍溫度達(dá)到設(shè)定溫度之后,給互連線測試結(jié)構(gòu)通恒定電流,并記錄失效時間。本發(fā)明對金屬互連線電遷移的評價不需要因在劃片后進(jìn)行封裝測試而消耗硅片,從而大大的降低了成本,并且縮短了測試時間,提高了測試效率,可以實(shí)時監(jiān)控工藝變化對金屬互連線電遷移的影響。
聲明:
“金屬互連線電遷移的測試結(jié)構(gòu)及方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)