1.本技術(shù)涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種正極極片、儲(chǔ)能裝置及用電設(shè)備。

背景技術(shù)：

2.隨著電池技術(shù)的不斷發(fā)展，層狀過渡氧化物是正極活性材料中的重要代表，其中層狀過渡氧化物既有單晶材料，也有多晶材料。多晶材料合成技術(shù)成熟，制備相對(duì)簡(jiǎn)單，克容量較高，但是壓實(shí)密度較低，放電電壓較低，殘堿含量較高，對(duì)加工的環(huán)境濕度要求更苛刻，循環(huán)性能和安全性能都不佳；單晶材料在安全性能和循環(huán)性能方面表現(xiàn)更優(yōu)異，壓實(shí)密度更高，殘堿濃度低，但存在著克容量較低，倍率性能較差，且加工生產(chǎn)工藝復(fù)雜，價(jià)格昂貴的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

3.針對(duì)上述問題，本技術(shù)實(shí)施例提供一種正極極片，其能夠保證儲(chǔ)能裝置兼顧高能量密度與良好的循環(huán)性能及倍率性能。

4.本技術(shù)第一方面實(shí)施例提供了一種正極極片，其包括：集流體以及活性物質(zhì)層；所述活性物質(zhì)層設(shè)置于所述集流體的表面，所述活性物質(zhì)層包括至少兩層第一活性物質(zhì)層及至少一層第二活性物質(zhì)層，所述第一活性物質(zhì)層與所述第二活性物質(zhì)層沿所述集流體與所述活性物質(zhì)層的層疊方向上依次交替層疊設(shè)置，所述活性物質(zhì)層中最靠近所述集流體及最遠(yuǎn)離所述集流體的膜層均為第一活性物質(zhì)層，所述第一活性物質(zhì)層包括第一單晶顆粒，所述第二活性物質(zhì)層包括多晶顆粒，最遠(yuǎn)離所述集流體的第一活性物質(zhì)層的厚度大于最靠近所述集流體的第一活性物質(zhì)層的厚度。

5.其中，最遠(yuǎn)離所述集流體的第一活性物質(zhì)層的第一單晶顆粒的中值粒徑大于最靠近所述集流體的第一活性物質(zhì)層的第一單晶顆粒的中值粒徑。

6.其中，沿所述集流體與所述活性物質(zhì)層的層疊方向上，每層所述第一活性物質(zhì)層的厚度d11的取值范圍為：10μm≤d11≤30μm，所述至少兩層第一活性物質(zhì)層的總厚度d1的取值范圍為：20μm≤d11≤50μm。

7.其中，沿所述集流體與所述活性物質(zhì)層的層疊方向上，每層所述第二活性物質(zhì)層的厚度d12的取值范圍為：60μm≤d11≤180μm；所述至少一層第二活性物質(zhì)層的總厚度d2的取值范圍為：130μm≤d1≤180μm。

8.其中，所述第二活性物質(zhì)層還包括第二單晶顆粒，所述第二單晶顆粒分散于所述多晶顆粒中，所述第二活性物質(zhì)層中的所述第二單晶顆粒的質(zhì)量分?jǐn)?shù)的范圍為5％至10％。

9.其中，所述活性物質(zhì)層的面密度cw的取值范圍為：12g/cm2≤cw≤22g/cm2；所述多晶顆粒的真密度ρ的取值范圍為：4.0g/cm3≤ρ≤4.5g/cm3。

10.其中，所述第一單晶顆粒的中值粒徑d1與多晶顆粒的中值粒徑d2的比值范圍為：0.2≤d1/d2≤2。

11.其中，所述第一單晶顆粒的中值粒徑d1的取值范圍為：2μm≤d1≤5μm，所述多晶顆

粒的中值粒徑d2的取值范圍為：6μm≤d2≤14μm。

12.本技術(shù)第二方面實(shí)施例提供了一種儲(chǔ)能裝置，其包括：電解液、負(fù)極極片、隔膜以及本技術(shù)實(shí)施例所述的正極極片；所述負(fù)極極片至少部分浸漬于所述電解液中；所述隔膜位于所述負(fù)極極片的一側(cè)，且至少部分浸漬于所述電解液中，所述正極極片設(shè)置于所述隔膜背離所述負(fù)極極片的一側(cè)且至少部分浸漬于所述電解液中。

13.本技術(shù)第三方面實(shí)施例提供一種用電設(shè)備，其包括：用電設(shè)備本體以及本技術(shù)實(shí)施例所述的儲(chǔ)能裝置，所述儲(chǔ)能裝置為所述用電設(shè)備本體進(jìn)行供電。

14.本實(shí)施例的所述正極極片包括至少兩層第一活性物質(zhì)層及至少一層第二活性物質(zhì)層，通過將第一活性物質(zhì)層與所述第二活性物質(zhì)層依次交替層疊于所述集流體的表面，所述第一活性物質(zhì)層包括第一單晶顆粒，所述第二活性物質(zhì)層包括多晶顆粒，通過第一活性物質(zhì)層與第二活性物質(zhì)層的配合，從而使得制得的正極極片可以具有較高的壓實(shí)密度、較高的克容量、倍率性能及循環(huán)性能，且可以較好的降低正極極片的殘堿濃度及成本。此外，相較于采用單層第一活性物質(zhì)層與單層第二活性物質(zhì)層配合，在第一活性物質(zhì)層的總厚度相等且第二活性物質(zhì)層的總厚度相等的情況下，將第一活性物質(zhì)層分成兩層以上或者第一活性物質(zhì)層及第二活性物質(zhì)層均分成兩層以上的膜層，且其它條件相同(例如壓實(shí)密度)的情況下時(shí)，可以使得制得的正極極片具有更好的循環(huán)容量保持率。最靠近所述集流體的膜層為第一活性物質(zhì)層時(shí)，單晶顆粒較小，能夠顯著增加顆粒與集流體之間的接觸，并且單晶顆粒在充放電過程中不易開裂，保證了接觸的穩(wěn)定性；最遠(yuǎn)離所述集流體的膜層為第一活性物質(zhì)層時(shí)，所述正極極片壓實(shí)密度較高，且所述多晶顆粒不易破碎，所述正極極片殘堿含量較低，使得所述正極極片的加工環(huán)境濕度的控制更為容易。最遠(yuǎn)離所述集流體的第一活性物質(zhì)層的厚度大于最靠近所述集流體的第一活性物質(zhì)層的厚度，能夠使得正極極片的壓實(shí)密度較高，并且所述最遠(yuǎn)離所述集流體的第一活性物質(zhì)層能夠充分發(fā)揮作用，在正極極片壓實(shí)密度較高的情況下不破壞第二活性物質(zhì)層中的多晶顆粒，也能夠極大程度的控制正極極片的殘堿含量，在環(huán)境濕度一定的情況下，使第二活性物質(zhì)層中的多晶顆粒殘堿含量較低。

附圖說明

15.為了更清楚地說明本技術(shù)實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術(shù)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

16.圖1是本技術(shù)一實(shí)施例的正極極片的結(jié)構(gòu)示意圖。

17.圖2是本技術(shù)一實(shí)施例的正極極片沿圖1中a-a方向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

18.圖3是本技術(shù)另一實(shí)施例的正極極片沿圖1中a-a方向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

19.圖4是本技術(shù)另一實(shí)施例的正極極片沿圖1中a-a方向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

20.圖5是本技術(shù)一實(shí)施例的儲(chǔ)能裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

21.圖6是本技術(shù)一實(shí)施例的儲(chǔ)能裝置沿圖3中b-b方向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

22.圖7是本技術(shù)一實(shí)施例的用電設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，所述儲(chǔ)能裝置本體與用電設(shè)備處于分離狀態(tài)。

23.附圖標(biāo)記說明：

24.100-正極極片，110-集流體，120-活性物質(zhì)層，121-第一活性物質(zhì)層，1211-第一單晶顆粒，122-第二活性物質(zhì)層，1221-多晶顆粒，1222-第二單晶顆粒，200-儲(chǔ)能裝置，210-隔膜，230-負(fù)極極片，300-用電設(shè)備，310-用電設(shè)備本體。

具體實(shí)施方式

25.為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本技術(shù)方案，下面將結(jié)合本技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒炯夹g(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。

26.本技術(shù)的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別不同對(duì)象，而不是用于描述特定順序。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及它們?nèi)魏巫冃?，意圖在于覆蓋不排他的包含。例如包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備沒有限定于已列出的步驟或單元，而是可選地還包括沒有列出的步驟或單元，或可選地還包括對(duì)于這些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其他步驟或單元。

27.下面將結(jié)合附圖，對(duì)本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行描述。

28.需要說明的是，為便于說明，在本技術(shù)的實(shí)施例中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件，并且為了簡(jiǎn)潔，在不同實(shí)施例中，省略對(duì)相同部件的詳細(xì)說明。

29.隨著電池技術(shù)的不斷發(fā)展，層狀過渡氧化物是正極活性材料中的重要代表，其中層狀過渡氧化物既有單晶材料，也有多晶材料。多晶材料合成技術(shù)成熟，制備相對(duì)簡(jiǎn)單，克容量較高，但是壓實(shí)密度較低，放電電壓較低，殘堿含量較高，對(duì)加工的環(huán)境濕度要求更苛刻，循環(huán)性能和安全性能都不佳；單晶材料在安全性能和循環(huán)性能方面表現(xiàn)更優(yōu)異，壓實(shí)密度更高，殘堿濃度低，但存在著克容量較低，倍率性能較差，且加工生產(chǎn)工藝復(fù)雜，價(jià)格昂貴的問題。

30.請(qǐng)參見圖1與圖2，本技術(shù)提供了一種正極極片100，其包括：集流體110以及活性物質(zhì)層120；所述活性物質(zhì)層120設(shè)置于所述集流體110的表面，所述活性物質(zhì)層120包括至少兩層第一活性物質(zhì)層121及至少一層第二活性物質(zhì)層122，所述第一活性物質(zhì)層121與所述第二活性物質(zhì)層122沿所述集流體110與所述活性物質(zhì)層120的層疊方向上依次交替層疊設(shè)置，所述活性物質(zhì)層120中最靠近所述集流體110及最遠(yuǎn)離所述集流體110的膜層均為第一活性物質(zhì)層121，所述第一活性物質(zhì)層121包括第一單晶顆粒1211，所述第二活性物質(zhì)層122包括多晶顆粒1221，最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度大于最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度。

31.本實(shí)施例的所述正極極片100包括至少兩層第一活性物質(zhì)層121及至少一層第二活性物質(zhì)層122，通過將第一活性物質(zhì)層121與所述第二活性物質(zhì)層122依次交替層疊于所述集流體110的表面，所述第一活性物質(zhì)層121包括第一單晶顆粒1211，所述第二活性物質(zhì)層122包括多晶顆粒1221，通過第一活性物質(zhì)層121與第二活性物質(zhì)層122的配合，從而使得制得的正極極片100可以具有較高的壓實(shí)密度、較高的克容量、倍率性能及循環(huán)性能，且可以較好的降低正極極片100的殘堿濃度及成本。此外，相較于采用單層第一活性物質(zhì)層121與單層第二活性物質(zhì)層122配合，在第一活性物質(zhì)層121的總厚度相等且第二活性物質(zhì)層122的總厚度相等的情況下，將第一活性物質(zhì)層121分成兩層以上或者第一活性物質(zhì)層121

及第二活性物質(zhì)層122均分成兩層以上的膜層，且其它條件相同(例如壓實(shí)密度)的情況下時(shí)，可以使得制得的正極極片100具有更好的循環(huán)容量保持率。最靠近所述集流體110的膜層為第一活性物質(zhì)層121時(shí)，單晶顆粒較小，能夠顯著增加顆粒與集流體110之間的接觸，并且單晶顆粒在充放電過程中不易開裂，保證了接觸的穩(wěn)定性；最遠(yuǎn)離所述集流體110的膜層為第一活性物質(zhì)層121時(shí)，所述正極極片100壓實(shí)密度較高，且所述多晶顆粒1221不易破碎，所述正極極片100殘堿含量較低，使得所述正極極片100的加工環(huán)境濕度的控制較為輕松。最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度大于最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度，能夠使得正極極片100的壓實(shí)密度較高，并且所述最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121能夠充分發(fā)揮作用，在正極極片100壓實(shí)密度較高的情況下不破壞第二活性物質(zhì)層122中的多晶顆粒1221，也能夠極大程度的控制正極極片100的殘堿含量，在環(huán)境濕度一定的情況下，使第二活性物質(zhì)層122中的多晶顆粒1221殘堿含量較低。

32.可以理解的是，所述集流體110可以為但不限于為鋁箔。

33.可以理解的是，單晶顆粒是由一個(gè)晶核生長(zhǎng)起來的，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)基本上是一個(gè)完整的晶格；多晶顆粒1221是由取向方向不同的多個(gè)單晶顆粒結(jié)合而成。

34.可以理解的是，所述單晶顆粒包括但不限于單晶鎳鐵錳酸鈉、單晶銅鐵錳酸鈉、單晶鎳錳酸鈉、單晶鎳銅錳酸鈉、單晶鎳錳鎂鈦酸鈉、單晶鎳錳鐵鈦酸鈉以及單晶鎳鈷錳酸鋰中的至少一種。

35.可以理解的是，所述多晶顆粒1221包括但不限于多晶鎳鐵錳酸鈉、多晶銅鐵錳酸鈉、多晶鎳錳酸鈉、多晶鎳銅錳酸鈉、多晶鎳錳鎂鈦酸鈉、多晶鎳錳鐵鈦酸鈉以及多晶鎳鈷錳酸鋰中的至少一種。

36.在一些實(shí)施例中，所述第一活性物質(zhì)層121面向所述第二活性物質(zhì)層122的一側(cè)中的部分所述第一單晶顆粒1211嵌設(shè)于所述第二活性物質(zhì)層122內(nèi)。

37.當(dāng)所述第一活性物質(zhì)層121面向所述第二活性物質(zhì)層122的一側(cè)中的部分所述第一單晶顆粒1211嵌設(shè)于所述第二活性物質(zhì)層122內(nèi)，能夠進(jìn)一步提高正極極片100的壓實(shí)密度，使所述第一活性物質(zhì)層121與所述第二活性物質(zhì)層122之間結(jié)合的更緊密，膜層間不易分層，進(jìn)一步提升儲(chǔ)能裝置200的循環(huán)性能與能量密度。

38.請(qǐng)參見圖3，在一些實(shí)施例中，所述活性物質(zhì)層包括多層第一活性物質(zhì)層121及多層第二活性物質(zhì)層122，所述第一活性物質(zhì)層121與所述第二活性物質(zhì)層122依次交替層疊于所述集流體110的表面。

39.當(dāng)所述活性物質(zhì)層包括多層第一活性物質(zhì)層121及多層第二活性物質(zhì)層122，所述第一活性物質(zhì)層121與所述第二活性物質(zhì)層122依次交替層疊于所述集流體110的表面，在正極極片100壓實(shí)密度較高的情況下不破壞第二活性物質(zhì)層122中的多晶顆粒1221，進(jìn)一步的兼顧儲(chǔ)能裝置200的能量密度與循環(huán)性能。

40.在一些實(shí)施例中，最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度與最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度的比值范圍為0.3至0.95。

41.本技術(shù)實(shí)施例中，當(dāng)涉及到數(shù)值范圍a至b時(shí)，如未特別指明，表示該數(shù)值可以為a至b之間的任意數(shù)值，包括端點(diǎn)數(shù)值a及端點(diǎn)數(shù)值b。

42.具體的，最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度與最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度的比值可以為0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、0.95，以及

上述數(shù)值之間的任意數(shù)值。

43.當(dāng)最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度與最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度的比值小于0.3時(shí)，最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121過薄不能顯著增加顆粒與集流體110之間的接觸，或由于最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121過厚導(dǎo)致極片中單晶顆粒過多，影響正極極片100的壓實(shí)密度。當(dāng)最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度與最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度的比值大于0.95時(shí)，最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度過薄，無法在正極極片100壓實(shí)密度較高的情況下不破壞第二活性物質(zhì)層122中的多晶顆粒1221，或由于最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121過厚，導(dǎo)致極片中單晶顆粒過多，影響正極極片100的壓實(shí)密度。當(dāng)最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度與最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度的比值在0.3至0.95之間時(shí)，既能保證增加顆粒與集流體110之間的接觸，提高正極極片100剝離力，又能在正極極片100壓實(shí)密度較高的情況下不破壞第二活性物質(zhì)層122中的多晶顆粒1221，提高正極極片100性能。

44.在一些實(shí)施例中，最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的第一單晶顆粒1211的中值粒徑大于最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的第一單晶顆粒1211的中值粒徑。

45.當(dāng)最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的第一單晶顆粒1211的中值粒徑大于最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的第一單晶顆粒1211的中值粒徑時(shí)，最靠近所述集流體110第一活性物質(zhì)層121的第一單晶顆粒1211可以充分的嵌入所述第二活性物質(zhì)層122內(nèi)，進(jìn)一步提升增加顆粒與集流體110之間的接觸面積，保證接觸的穩(wěn)定性；最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的第一單晶顆粒1211不會(huì)完全嵌入所述第二活性物質(zhì)層122內(nèi)，會(huì)更好的對(duì)所述第二活性物質(zhì)層122起到保護(hù)作用，防止第二活性物質(zhì)層122中的多晶顆粒1221不被破壞，也能夠最大程度的控制正極極片100的殘堿含量，提高儲(chǔ)能裝置200的循環(huán)性能與能量密度。

46.可以理解的是，所述顆粒的中值粒徑是指所述顆粒的累計(jì)粒度分布百分?jǐn)?shù)達(dá)到50％時(shí)所對(duì)應(yīng)的粒徑值。

47.在一些實(shí)施例中，沿所述集流體110與所述活性物質(zhì)層的層疊方向上，每層所述第一活性物質(zhì)層121的厚度d11的取值范圍為：10μm≤d11≤30μm。具體的，每層所述第一活性物質(zhì)層121的厚度d11的取值可以為10μm、15μm、20μm、25μm、30μm，以及上述數(shù)值之間的任意數(shù)值。

48.當(dāng)所述第一活性物質(zhì)層121的厚度d11小于10μm時(shí)，最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121無法保護(hù)第二活性物質(zhì)層122中多晶顆粒1221不易破損，會(huì)導(dǎo)致較高的正極極片100壓實(shí)下多晶顆粒1221容易壓碎，影響正極極片100的性能。當(dāng)所述第一活性物質(zhì)層121的厚度d11大于30μm時(shí)，所述第一活性物質(zhì)層121太厚，會(huì)導(dǎo)致正極極片100中第一活性物質(zhì)層121占比較大，導(dǎo)致儲(chǔ)能裝置200的容量降低。當(dāng)所述第一活性物質(zhì)層121的厚度d11的取值在10μm至30μm之間時(shí)，第一活性物質(zhì)層121與集流體110接觸時(shí)，可以提高正極極片100剝離力，第一活性物質(zhì)層121遠(yuǎn)離集流體110時(shí)，能夠保護(hù)第二活性物質(zhì)層122中多晶顆粒1221不易破損，同時(shí)不會(huì)明顯降低正極極片100的壓實(shí)密度。

49.在一些實(shí)施例中，沿所述集流體110與所述活性物質(zhì)層的層疊方向上，所述至少兩

層第一活性物質(zhì)層121的總厚度d1的取值范圍為：20μm≤d1≤50μm。具體的，所述至少兩層第一活性物質(zhì)層121的總厚度d1的取值可以為20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm，以及上述數(shù)值之間的任意數(shù)值。

50.當(dāng)所述至少兩層第一活性物質(zhì)層121的總厚度d1小于20μm時(shí)，最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121無法保護(hù)第二活性物質(zhì)層122中多晶顆粒1221不易破損，會(huì)導(dǎo)致較高的正極極片100壓實(shí)下多晶顆粒1221容易壓碎，影響正極極片100的性能?；蜃羁拷黾黧w110的第一活性物質(zhì)層121過薄，無法有效的增加顆粒與集流體110之間的接觸，無法提高活性物質(zhì)層的剝離力。當(dāng)所述至少兩層第一活性物質(zhì)層121的總厚度d1大于50μm時(shí)，所述至少兩層第一活性物質(zhì)層121太厚，會(huì)導(dǎo)致正極極片100中第一活性物質(zhì)層121占比較大，導(dǎo)致儲(chǔ)能裝置200的容量降低。當(dāng)所述至少兩層第一活性物質(zhì)層121的總厚度d1在20μm至50μm之間時(shí)，所述至少兩層第一活性物質(zhì)層121既能夠增加正極極片100剝離力，又能保護(hù)第二活性物質(zhì)層122中多晶顆粒1221不易破損，同時(shí)進(jìn)一步保證正極極片100的壓實(shí)密度。

51.在一些實(shí)施例中，沿所述集流體110與所述活性物質(zhì)層的層疊方向上，每層所述第二活性物質(zhì)層122的厚度d12的取值范圍為：60μm≤d11≤180μm。具體的，每層所述第二活性物質(zhì)層122的厚度d12的取值可以為60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm、130μm、140μm、150μm、160μm、170μm、180μm，以及上述數(shù)值之間的任意數(shù)值。

52.當(dāng)所述第二活性物質(zhì)層122的厚度d12小于60μm時(shí)，會(huì)導(dǎo)致正極極片100中第二活性物質(zhì)層122占比較小，導(dǎo)致儲(chǔ)能裝置200的容量降低。當(dāng)所述第二活性物質(zhì)層122的厚度d12大于180μm時(shí)，會(huì)導(dǎo)致正極極片100厚度較大，加工困難，在正極極片100制備中容易出現(xiàn)膜層開裂。當(dāng)所述第二活性物質(zhì)層122的厚度d12取值在60至180μm之間時(shí)，所述正極極片100較容易加工，同時(shí)正極極片100應(yīng)用于儲(chǔ)能裝置200，所述儲(chǔ)能裝置200的能量密度較高。

53.在一些實(shí)施例中，沿所述集流體110與所述活性物質(zhì)層的層疊方向上，所述至少一層第二活性物質(zhì)層122的總厚度d2的取值范圍為：130μm≤d1≤180μm。具體的，所述至少一層第二活性物質(zhì)層122的總厚度d2的取值可以為130μm、135μm、140μm、145μm、150μm、155μm、160μm、165μm、170μm、175μm、180μm，以及上述數(shù)值之間的任意數(shù)值。

54.當(dāng)所述至少一層第二活性物質(zhì)層122的總厚度d2小于130μm時(shí)，會(huì)導(dǎo)致正極極片100中第二活性物質(zhì)層122占比較小，導(dǎo)致儲(chǔ)能裝置200的容量降低。當(dāng)所述至少一層第二活性物質(zhì)層122的總厚度d2大于180μm時(shí)，會(huì)導(dǎo)致正極極片100厚度較大，加工困難，在正極極片100制備中容易出現(xiàn)膜層開裂。當(dāng)所述至少一層第二活性物質(zhì)層122的總厚度d2的取值在130至180μm之間時(shí)，所述正極極片100較容易加工，同時(shí)正極極片100應(yīng)用于儲(chǔ)能裝置200，所述儲(chǔ)能裝置200的能量密度較高。

55.請(qǐng)參見圖4，在一些實(shí)施例中，所述第二活性物質(zhì)層122還包括第二單晶顆粒1222，所述第二單晶顆粒1222分散于所述多晶顆粒1221中，所述第二活性物質(zhì)層122中的所述第二單晶顆粒1222的質(zhì)量分?jǐn)?shù)的范圍為5％至10％。

56.具體地，所述第二活性物質(zhì)層122中的所述第二單晶顆粒1222的質(zhì)量分?jǐn)?shù)的取值可以為5％、6％、7％、8％、9％、10％，以及上述數(shù)值之間的任意數(shù)值。當(dāng)所述第二活性物質(zhì)層122中的所述第二單晶顆粒1222的質(zhì)量分?jǐn)?shù)的取值小于5％時(shí)，所述第二活性物質(zhì)層122中的多晶顆粒1221在正極極片100輥壓壓力過大時(shí)，可能會(huì)產(chǎn)生破碎，影響儲(chǔ)能裝置200的

容量以及循環(huán)性能；當(dāng)所述第二活性物質(zhì)層122中的所述第二單晶顆粒1222的質(zhì)量分?jǐn)?shù)的取值大于10％時(shí)，會(huì)影響儲(chǔ)能裝置200的容量以及倍率性能。當(dāng)所述第二活性物質(zhì)層122中的所述第二單晶顆粒1222的質(zhì)量分?jǐn)?shù)的范圍為5％至10％，能夠進(jìn)一步防止正極極片100輥壓過程中壓力過大導(dǎo)致多晶顆粒1221破碎，進(jìn)一步保證儲(chǔ)能裝置200的容量以及循環(huán)性能。

57.可以理解的是，真密度是指材料在絕對(duì)密實(shí)的狀態(tài)下單位體積的固體物質(zhì)的實(shí)際質(zhì)量，即去除內(nèi)部孔隙后的密度。

58.可以理解的是，面密度是指定厚度的物質(zhì)單位面積的質(zhì)量。活性物質(zhì)層的面密度是指一定厚度的活性物質(zhì)層單位面積的質(zhì)量。

59.在一些實(shí)施例中，所述活性物質(zhì)層的面密度cw的取值范圍為：12g/cm2≤cw≤22g/cm2。

60.具體地，所述活性物質(zhì)層的面密度cw的取值可以為12g/cm2、13g/cm2、14g/cm2、15g/cm2、16g/cm2、17g/cm2、18g/cm2、19g/cm2、20g/cm2、21g/cm2、22g/cm2，以及上述數(shù)值之間的任意數(shù)值。當(dāng)所述活性物質(zhì)層的面密度cw大于22g/cm2時(shí)，所述活性物質(zhì)層的面密度較大，加工難度較高，容易出現(xiàn)活性物質(zhì)層脫落，在正極極片100卷繞時(shí)折痕處活性物質(zhì)層容易脫落，導(dǎo)致儲(chǔ)能裝置200容量降低。當(dāng)所述活性物質(zhì)層的面密度cw小于12g/cm2時(shí)，所述活性物質(zhì)層的面密度較低，導(dǎo)致儲(chǔ)能裝置200的能量密度降低。當(dāng)所述活性物質(zhì)層的面密度cw在12g/cm2至22g/cm2之間時(shí)，所述正極極片100應(yīng)用于儲(chǔ)能裝置200時(shí)，所述儲(chǔ)能裝置200可以兼顧能量密度與容量。

61.在一些實(shí)施例中，所述多晶顆粒1221的真密度ρ的取值范圍為：4.0g/cm3≤ρ≤4.5g/cm3。具體地，所述多晶顆粒1221的真密度ρ的取值可以為4.0g/cm3、4.1g/cm3、4.2g/cm3、4.3g/cm3、4.4g/cm3、4.5g/cm3，以及上述數(shù)值之間的任意數(shù)值。

62.當(dāng)所述多晶顆粒1221的真密度小于4.0g/cm3，多晶顆粒1221內(nèi)部的孔隙較多，單位體積的活性離子較少，會(huì)導(dǎo)致單位體積的容量變小。當(dāng)所述多晶顆粒1221的真密度大于4.5g/cm3，多晶顆粒1221內(nèi)部的孔隙較少，無法有效的儲(chǔ)存電解液，影響儲(chǔ)能裝置200性能。當(dāng)所述多晶顆粒1221的真密度在4.0g/cm3至4.5g/cm3時(shí)，所述多晶顆粒1221的克容量較高，顆粒結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性較好，能夠兼顧儲(chǔ)能裝置200的容量與倍率性能。

63.在一些實(shí)施例中，所述第一單晶顆粒1211的中值粒徑d1與多晶顆粒1221的中值粒徑d2的比值范圍為：具體地，所述第一單晶顆粒1211的中值粒徑d1與多晶顆粒1221的中值粒徑d2的比值可以為0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、以及上述數(shù)值之間的任意數(shù)值。

64.當(dāng)所述第一單晶顆粒1211的中值粒徑d1與多晶顆粒1221的中值粒徑d2的比值小于0.2時(shí)，所述第一單晶顆粒1211可能會(huì)在活性物質(zhì)層冷壓時(shí)，完全嵌入第二活性物質(zhì)層122中，導(dǎo)致多晶顆粒1221出現(xiàn)破損的概率增加。當(dāng)所述第一單晶顆粒1211的中值粒徑d1與多晶顆粒1221的中值粒徑d2的比值大于時(shí)，所述第一單晶顆粒1211中值粒徑較大，無法在活性物質(zhì)層冷壓時(shí)嵌入第二活性物質(zhì)層122，提高顆粒間的密排程度，無法有效提升正極極片100壓實(shí)密度。當(dāng)所述第一單晶顆粒1211的中值粒徑d1與多晶顆粒1221的中值粒徑d2的比值在0.2至?xí)r，即能夠有效提升正極極片100的壓實(shí)密度，也能對(duì)第二活性物質(zhì)層122起到保護(hù)作用，緩解冷壓時(shí)的壓力，減少多晶顆粒1221出現(xiàn)破損的概率，提高正極極

片100性能。

65.優(yōu)選的，所述第一單晶顆粒1211的中值粒徑d1與多晶顆粒1221的中值粒徑d2的比值范圍為：0.3≤d1/d2≤0.5。當(dāng)所述第一單晶顆粒1211的中值粒徑d1與多晶顆粒1221的中值粒徑d2的比值在0.3至0.5之間時(shí)，能夠進(jìn)一步提升正極極片100的壓實(shí)密度，也能對(duì)第二活性物質(zhì)層122起到更好保護(hù)作用，緩解冷壓時(shí)的壓力，減少多晶顆粒1221出現(xiàn)破損的概率，提高正極極片100性能。

66.在一些實(shí)施例中，所述第一單晶顆粒1211的中值粒徑d1的取值范圍為：2μm≤d1≤5μm。具體地，所述第一單晶顆粒1211的中值粒徑d1可以為2μm、3μm、4μm、5μm，以及上述數(shù)值之間的任意數(shù)值。

67.當(dāng)所述第一單晶顆粒1211的中值粒徑小于2μm時(shí)，當(dāng)輥壓活性物質(zhì)層時(shí)，所述第一單晶顆粒1211容易全部嵌入第二活性物質(zhì)層122的間隙中，對(duì)多晶顆粒1221起不到保護(hù)作用，多晶顆粒1221容易破碎。當(dāng)所述第一單晶顆粒1211的中值粒徑大于5μm時(shí)，降低了第一活性物質(zhì)層121在集流體110上的附著性，且降低了第一活性物質(zhì)層121的壓實(shí)密度。當(dāng)所述第一單晶顆粒1211的中值粒徑在2μm至5μm之間，所述第一單晶顆粒1211即可以提高正極極片100剝離力與壓實(shí)密度，也能夠保護(hù)多晶顆粒1221不被壓碎。

68.在一些實(shí)施例中，所述多晶顆粒1221的中值粒徑d2的取值范圍為：6μm≤d2≤14μm。具體地，所述多晶顆粒1221的中值粒徑d2可以為6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、11μm、12μm、13μm、14μm，以及上述數(shù)值之間的任意數(shù)值。

69.當(dāng)所述多晶顆粒1221的中值粒徑小于6μm時(shí)，多晶顆粒1221之間的孔隙太小，無法容納第一單晶顆粒1211，多晶顆粒1221也容易被壓碎。當(dāng)所述多晶顆粒1221的中值粒徑大于14μm時(shí)，多晶顆粒1221的比表面積比較大，不利于容量的發(fā)揮。當(dāng)所述多晶顆粒1221的中值粒徑在6μm至14μm之間，所述多晶顆粒1221之間的孔隙既可以容納第一單晶顆粒1211，也不容易被壓碎，也利于容量的發(fā)揮。

70.請(qǐng)參見圖5和圖6，本技術(shù)還提供了一種儲(chǔ)能裝置200，其包括：電解液(圖未示)、負(fù)極極片230、隔膜210以及本技術(shù)提供的正極極片100；所述負(fù)極極片230至少部分浸漬于所述電解液中；所述隔膜210位于所述負(fù)極極片230的一側(cè)，且至少部分浸漬于所述電解液中；所述正極極片100設(shè)置于所述隔膜210背離所述負(fù)極極片230的一側(cè)且至少部分浸漬于所述電解液中。

71.可以理解的是，所述隔膜210可以為但不限于為聚丙烯膜(pp)、聚乙烯膜(pe)中的至少一種。

72.本技術(shù)實(shí)施例的儲(chǔ)能裝置200可以為但不限于為鋰離子二次儲(chǔ)能裝置200、鋰離子一次儲(chǔ)能裝置200、鈉離子儲(chǔ)能裝置200、鋰硫儲(chǔ)能裝置200等。

73.可以理解的是，所述儲(chǔ)能裝置200可以但不限于為電池單體、電池模組、電池包等。

74.下面結(jié)合實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本技術(shù)。應(yīng)理解，本技術(shù)提供的實(shí)施例僅僅是幫助理解本技術(shù)，不應(yīng)視為對(duì)本技術(shù)的具體限制。

75.為便于理解，本技術(shù)列舉實(shí)施例如下。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明了實(shí)施例中未注明具體條件者，按照常規(guī)條件進(jìn)行。

76.實(shí)施例1至實(shí)施例19和對(duì)比例1至對(duì)比例3

77.1)正極極片100的制備：將單晶鎳鐵錳酸鈉、粘結(jié)劑pvdf、導(dǎo)電劑sp按照95.5：2：

2.5制備第一漿料，將多晶鎳鐵錳酸鈉與粘結(jié)劑pvdf、導(dǎo)電劑sp按照95.5：2：2.5制備第二漿料，先將第一漿料涂覆于集流體110的一側(cè)表面，烘干形成第一活性物質(zhì)層121，再將第二漿料涂覆于第一活性物質(zhì)層121上烘干形成第二活性物質(zhì)層122，再將第一漿料涂覆于第二活性物質(zhì)層122上烘干形成第一活性物質(zhì)層121，集流體110的另一側(cè)表面用相同的方法設(shè)置，經(jīng)過冷壓、分條、裁片后，得到正極極片100(實(shí)施例1至實(shí)施例19和對(duì)比例1至對(duì)比例3的正極極片100的結(jié)構(gòu)如圖2所示)。所述實(shí)施例1至實(shí)施例19和對(duì)比例1至對(duì)比例3中每個(gè)實(shí)施例及對(duì)比例的單晶鎳鐵錳酸鈉中值粒徑、多晶鎳鐵錳酸鈉的中值粒徑和真密度、最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121與最遠(yuǎn)離集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度以及活性物質(zhì)層的面密度及壓實(shí)密度等參數(shù)見表1及表2。

78.2)負(fù)極極片230的制備：將負(fù)極活性材料硬碳、導(dǎo)電炭sp、增稠劑cmc及粘結(jié)劑sbr按照質(zhì)量比96.5：0.5：1：2分散于去離子水中進(jìn)行混合均勻得到負(fù)極漿料，將負(fù)極漿料涂布于負(fù)極集流體110銅箔上，烘干，負(fù)極活性物質(zhì)層的涂布重量為122mg/1540.25mm2，經(jīng)過輥壓、分條、裁片后，得到負(fù)極極片230。

79.3)隔膜210的制備：

80.以16um的聚乙烯薄膜為隔膜210。

81.4)電解液的制備：

82.將碳酸乙烯酯(ec)、碳酸甲乙酯(emc)、碳酸二乙酯(dec)按體積比1:1:1混合得到混合溶劑，再向其中加入干燥的鈉鹽napf6，配成濃度為1mol/l的電解液。

83.5)儲(chǔ)能裝置200的制備：將上述正極極片100、隔膜210、負(fù)極極片230按照順序疊好，使得隔膜210處于正負(fù)極的之間起到隔離的作用，然后卷繞得到裸電芯，將裸電芯裝配到外包裝中，注入電解液后，對(duì)電芯進(jìn)行封裝、靜置、化成、整形、容量測(cè)試等，獲得實(shí)施例1至實(shí)施例19和對(duì)比例1至對(duì)比例3所述的儲(chǔ)能裝置200。

84.實(shí)施例20

85.1)正極極片100的制備：將單晶鎳鐵錳酸鈉、粘結(jié)劑pvdf、導(dǎo)電劑sp按照95.5：2：2.5制備第一漿料，將單晶鎳鐵錳酸鈉與多晶鎳鐵錳酸鈉以5：100的質(zhì)量比進(jìn)行混合得到混合材料，將所述混合材料與粘結(jié)劑pvdf、導(dǎo)電劑sp按照95.5：2：2.5制備第二漿料，先將第一漿料涂覆于集流體110的一側(cè)表面，烘干形成第一活性物質(zhì)層121，再將第二漿料涂覆于第一活性物質(zhì)層121上烘干形成第二活性物質(zhì)層122，再將第一漿料涂覆于第二活性物質(zhì)層122上烘干形成第一活性物質(zhì)層121，集流體110的另一側(cè)表面用相同的方法設(shè)置，經(jīng)過冷壓、分條、裁片后，得到正極極片100(實(shí)施例20的正極極片100的結(jié)構(gòu)如圖4所示)。所述實(shí)施例20中單晶鎳鐵錳酸鈉中值粒徑、多晶鎳鐵錳酸鈉的中值粒徑和真密度、最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121與最遠(yuǎn)離集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度以及活性物質(zhì)層的面密度及壓實(shí)密度見表1及表2。

86.2)負(fù)極極片230的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中負(fù)極極片230的制備。

87.3)隔膜210的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中隔膜210的制備。

88.4)電解液的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中電解液的制備。

89.5)儲(chǔ)能裝置200的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中儲(chǔ)能裝置200的制備。

90.實(shí)施例21

91.1)正極極片100的制備：將單晶鎳鐵錳酸鈉、粘結(jié)劑pvdf、導(dǎo)電劑sp按照95.5：2：

2.5制備第一漿料，將單晶鎳鐵錳酸鈉與多晶鎳鐵錳酸鈉以10：100的質(zhì)量比進(jìn)行混合得到混合材料，將所述混合材料與粘結(jié)劑pvdf、導(dǎo)電劑sp按照95.5：2：2.5制備第二漿料，先將第一漿料涂覆于集流體110的一側(cè)表面，烘干形成第一活性物質(zhì)層121，再將第二漿料涂覆于第一活性物質(zhì)層121上烘干形成第二活性物質(zhì)層122，再將第一漿料涂覆于第二活性物質(zhì)層122上烘干形成第一活性物質(zhì)層121，集流體110的另一側(cè)表面用相同的方法設(shè)置，經(jīng)過冷壓、分條、裁片后，得到正極極片100(實(shí)施例21的正極極片100的結(jié)構(gòu)如圖4所示)。所述實(shí)施例21中單晶鎳鐵錳酸鈉中值粒徑、多晶鎳鐵錳酸鈉的中值粒徑和真密度、最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121與最遠(yuǎn)離集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度以及活性物質(zhì)層的面密度及壓實(shí)密度見表1及表2。

92.2)負(fù)極極片230的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中負(fù)極極片230的制備。

93.3)隔膜210的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中隔膜210的制備。

94.4)電解液的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中電解液的制備。

95.5)儲(chǔ)能裝置200的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中儲(chǔ)能裝置200的制備。

96.實(shí)施例22

97.1)正極極片100的制備：將單晶鎳鐵錳酸鈉、粘結(jié)劑pvdf、導(dǎo)電劑sp按照95.5：2：2.5制備第一漿料，將多晶鎳鐵錳酸鈉與粘結(jié)劑pvdf、導(dǎo)電劑sp按照95.5：2：2.5制備第二漿料，先將第一漿料涂覆于集流體110上，烘干形成第一活性物質(zhì)層121，再將第二漿料涂覆于第一活性物質(zhì)層121上烘干形成厚度為80μm的第二活性物質(zhì)層122，再在第二活性物質(zhì)層122上設(shè)置一層厚度為7.5μm的第一活性物質(zhì)層121，再設(shè)置一層厚度為80μm的第二活性物質(zhì)層122，最后再將第一漿料涂覆于第二活性物質(zhì)層122上，經(jīng)過烘干、冷壓、分條、裁片后，得到正極極片100(實(shí)施例22的正極極片100的結(jié)構(gòu)如圖3所示)。所述實(shí)施例22中單晶鎳鐵錳酸鈉中值粒徑、多晶鎳鐵錳酸鈉的中值粒徑和真密度、最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121與最遠(yuǎn)離集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度以及活性物質(zhì)層的面密度及壓實(shí)密度見表1及表2。

98.2)負(fù)極極片230的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中負(fù)極極片230的制備。

99.3)隔膜210的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中隔膜210的制備。

100.4)電解液的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中電解液的制備。

101.5)儲(chǔ)能裝置200的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中儲(chǔ)能裝置200的制備。

102.對(duì)比例4

103.1)正極極片100的制備：將多晶鎳鐵錳酸鈉與粘結(jié)劑pvdf、導(dǎo)電劑sp按照95.5：2：2.5制備第二漿料，將第二漿料涂覆于集流體110上，經(jīng)過烘干、冷壓、分條、裁片后，得到正極極片100。

104.2)負(fù)極極片230的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中負(fù)極極片230的制備。

105.3)隔膜210的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中隔膜210的制備。

106.4)電解液的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中電解液的制備。

107.5)儲(chǔ)能裝置200的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中儲(chǔ)能裝置200的制備。

108.設(shè)置對(duì)比例4的多晶顆粒1221的參數(shù)及正極極片100的參數(shù)，與實(shí)施例1至實(shí)施例19形成對(duì)比，具體信息如表1及表2所示。

109.對(duì)比例5

110.1)正極極片100的制備：將單晶鎳鐵錳酸鈉與粘結(jié)劑pvdf、導(dǎo)電劑sp按照95.5：2：2.5制備第一漿料，將第一漿料涂覆于集流體110上，經(jīng)過烘干、冷壓、分條、裁片后，得到正極極片100。

111.2)負(fù)極極片230的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中負(fù)極極片230的制備。

112.3)隔膜210的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中隔膜210的制備。

113.4)電解液的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中電解液的制備。

114.5)儲(chǔ)能裝置200的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中儲(chǔ)能裝置200的制備。

115.設(shè)置對(duì)比例5的單晶顆粒的參數(shù)及正極極片100的參數(shù)，與實(shí)施例1至實(shí)施例19形成對(duì)比，具體信息如表1及表2所示。

116.對(duì)比例6

117.1)正極極片100的制備：將單晶鎳鐵錳酸鈉、粘結(jié)劑pvdf、導(dǎo)電劑sp按照95.5：2：2.5制備第一漿料，將多晶鎳鐵錳酸鈉與粘結(jié)劑pvdf、導(dǎo)電劑sp按照95.5：2：2.5制備第二漿料，先將第一漿料涂覆于集流體110上，形成第一活性物質(zhì)層121，再將第二漿料涂覆于第一活性物質(zhì)層121上，經(jīng)過烘干、冷壓、分條、裁片后，得到正極極片100。

118.2)負(fù)極極片230的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中負(fù)極極片230的制備。

119.3)隔膜210的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中隔膜210的制備。

120.4)電解液的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中電解液的制備。

121.5)儲(chǔ)能裝置200的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中儲(chǔ)能裝置200的制備。

122.設(shè)置對(duì)比例6的單晶顆粒、多晶顆粒1221的參數(shù)及正極極片100的參數(shù)，與實(shí)施例1至實(shí)施例19形成對(duì)比，具體信息如表1及表2所示。

123.對(duì)比例7

124.1)正極極片100的制備：將單晶鎳鐵錳酸鈉、粘結(jié)劑pvdf、導(dǎo)電劑sp按照95.5：2：2.5制備第一漿料，將多晶鎳鐵錳酸鈉與粘結(jié)劑pvdf、導(dǎo)電劑sp按照95.5：2：2.5制備第二漿料，先將第二漿料涂覆于集流體110上，形成第二活性物質(zhì)層122，再將第一漿料涂覆于第二活性物質(zhì)層122上，經(jīng)過烘干、冷壓、分條、裁片后，得到正極極片100。

125.2)負(fù)極極片230的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中負(fù)極極片230的制備。

126.3)隔膜210的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中隔膜210的制備。

127.4)電解液的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中電解液的制備。

128.5)儲(chǔ)能裝置200的制備：同實(shí)施例1至實(shí)施例19中儲(chǔ)能裝置200的制備。

129.設(shè)置對(duì)比例7的單晶顆粒、多晶顆粒1221的參數(shù)及正極極片100的參數(shù)，與實(shí)施例1至實(shí)施例19形成對(duì)比，具體信息如表1及表2所示。

130.儲(chǔ)能裝置200性能測(cè)試

131.將上述實(shí)施例中所得到的儲(chǔ)能裝置200在充放電儀上進(jìn)行充放電循環(huán)測(cè)試，測(cè)試溫度為25℃，循環(huán)倍率為1c(即充電倍率與放電倍率均為1c)，充電電壓為1.5v到3.9v，計(jì)算循環(huán)后的容量保持率。25℃循環(huán)的容量保持率計(jì)算公式為：第n次循環(huán)后的容量保持率＝(第n次循環(huán)后的放電容量/循環(huán)放電容量的最大值)*100％。

132.可以理解的是，本技術(shù)術(shù)語“圈數(shù)”指所述儲(chǔ)能裝置200以預(yù)設(shè)倍率進(jìn)行充電，并以預(yù)設(shè)倍率進(jìn)行放電的次數(shù)。所述儲(chǔ)能裝置200完成一次充放電過程稱為一圈，25℃1c/1c循環(huán)500圈循環(huán)容量保持率是指，測(cè)試溫度25℃下，儲(chǔ)能裝置200以1c充電倍率和1c的放電倍

率經(jīng)過500次的充放電過程之后的容量保持率。

133.表1：

[0134][0135][0136]

表2：

[0137][0138][0139]

由表1及表2可知，實(shí)施例1具有兩層第一活性物質(zhì)層121及一層第二活性物質(zhì)層122，最靠近所述集流體110及最遠(yuǎn)離所述集流體110的膜層均為第一活性物質(zhì)層121，最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度大于最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度，實(shí)施例1的正極極片100的壓實(shí)密度為3.2g/cm3，25℃下500圈循環(huán)容量保持率為87.8％。對(duì)比例1的正極極片100的壓實(shí)密度為3.2g/cm3時(shí)，25℃下500圈循環(huán)容量保持率稍低，為86.2％。由實(shí)施例1及對(duì)比例1的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，在活性物質(zhì)層120的厚度相同，正極極片100均采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的情況下，最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度等于最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度，此時(shí)最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度稍大，導(dǎo)致極片中單晶顆粒過多，影響正極極片100的壓實(shí)密度，同樣壓實(shí)下，多晶顆粒1221容易被壓

碎，影響儲(chǔ)能裝置200的循環(huán)性能。

[0140]

對(duì)比例2的正極極片100的壓實(shí)密度為3.2g/cm3時(shí)，25℃下500圈循環(huán)容量保持率較低，為85.6％。對(duì)比例3的正極極片100的壓實(shí)密度為3.2g/cm3時(shí)，25℃下500圈循環(huán)容量保持率稍低，為86.5％。由實(shí)施例1及對(duì)比例2和對(duì)比例3的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，在活性物質(zhì)層120的厚度相同，正極極片100均采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的情況下，最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度小于最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度，此時(shí)最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度稍大，導(dǎo)致極片中單晶顆粒過多，影響正極極片100的壓實(shí)密度，同樣壓實(shí)下，多晶顆粒1221容易被壓碎，影響儲(chǔ)能裝置200的循環(huán)性能。

[0141]

對(duì)比例4僅具有第二活性物質(zhì)層122，對(duì)比例4的正極極片100的壓實(shí)密度為3.2g/cm3，25℃下500圈循環(huán)容量保持率僅為75.2％。由實(shí)施例1及對(duì)比例4的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，在活性物質(zhì)層120的厚度相同的情況下，采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的正極極片100相較于僅包括第二活性物質(zhì)層122的正極極片100具有更高的循環(huán)容量保持率。

[0142]

對(duì)比例5僅具有第一活性物質(zhì)層121，對(duì)比例5的正極極片100的壓實(shí)密度為3.2g/cm3，25℃下500圈循環(huán)容量保持率僅為83.5％。由實(shí)施例1及對(duì)比例5的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，在活性物質(zhì)層120的厚度相同的情況下，采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的正極極片100相較于僅包括第一活性物質(zhì)層121的正極極片100具有更高的循環(huán)容量保持率。

[0143]

對(duì)比例6具有一層第一活性物質(zhì)層121及一層第二活性物質(zhì)層122，第一活性物質(zhì)層121靠近集流體110設(shè)置，對(duì)比例6的正極極片100的壓實(shí)密度為3.2g/cm3時(shí)，25℃下500圈循環(huán)容量保持率僅為82.3％。由實(shí)施例1及對(duì)比例6的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，在活性物質(zhì)層120的厚度相同的情況下，采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的正極極片100相較于僅包括一層第一活性物質(zhì)層121及一層第二活性物質(zhì)層122，第一活性物質(zhì)層121靠近集流體110設(shè)置的正極極片100具有更高的循環(huán)容量保持率。由于對(duì)比例6中第二活性物質(zhì)層122遠(yuǎn)離集流體110的一側(cè)沒有第一活性物質(zhì)層121，當(dāng)極片壓實(shí)較高的時(shí)候，其中多晶顆粒1221會(huì)產(chǎn)生破損，從而循環(huán)性能變差。

[0144]

對(duì)比例7具有一層第一活性物質(zhì)層121及一層第二活性物質(zhì)層122，第一活性物質(zhì)層121遠(yuǎn)離集流體110設(shè)置，對(duì)比例7的正極極片100的壓實(shí)密度為3.2g/cm3時(shí)，25℃下500圈循環(huán)容量保持率僅為85.2％。由實(shí)施例1及對(duì)比例7的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，在活性物質(zhì)層120的厚度相同的情況下，采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的正極極片100相較于僅包括一層第一活性物質(zhì)層121及一層第二活性物質(zhì)層122，第一活性物質(zhì)層121遠(yuǎn)離集流體110設(shè)置的正極極片100具有更高的循環(huán)容量保持率。對(duì)比例7中沒有靠近集流體110設(shè)置的第一活性物質(zhì)層121，無法增加顆粒與集流體110之間的接觸，影響正極極片100的性能，進(jìn)而影響循環(huán)性能。

[0145]

請(qǐng)參見表1及表2，實(shí)施例1至實(shí)施例5中，所述多晶顆粒1221的中值粒徑不同，單晶顆粒的中值粒徑相同均為3μm，實(shí)施例3中，多晶顆粒1221的中值粒徑為10μm，正極極片100的壓實(shí)密度為3.2g/cm3時(shí)，25℃下500圈循環(huán)容量保持率最高，為88.7％。實(shí)施例5中多晶顆粒1221的中值粒徑最大，為14μm，正極極片100的壓實(shí)密度為3.2g/cm3時(shí)，25℃下500圈循環(huán)

容量保持率最低，為87％。由實(shí)施例1至實(shí)施例5的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的正極極片100，且第一活性物質(zhì)層121與第二活性物質(zhì)層122的厚度相同的情況下，多晶顆粒1221中值粒徑越大，顆粒之間的孔隙越大，當(dāng)多晶顆粒1221中值粒徑與單晶顆粒的中值粒徑比值在0.3至0.5之間時(shí)，所述正極極片100性能較好，所述儲(chǔ)能裝置200循環(huán)性能也有所提升。

[0146]

請(qǐng)參見表1及表2，實(shí)施例1與實(shí)施例6至實(shí)施例8中，所述多晶顆粒1221的中值粒徑相同，均為8μm，第一單晶顆粒1211的中值粒徑不同，實(shí)施例1和實(shí)施例7在正極極片100的壓實(shí)密度為3.2g/cm3時(shí)，25℃下500圈循環(huán)容量保持率最高，為87.8％。實(shí)施例8在正極極片100的壓實(shí)密度為3.2g/cm3時(shí)，25℃下500圈循環(huán)容量保持率最低，為86.1％。由實(shí)施例1與實(shí)施例6至實(shí)施例8的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的正極極片100，且第一活性物質(zhì)層121與第二活性物質(zhì)層122的厚度相同的情況下，多晶顆粒1221中值粒徑一定時(shí)，當(dāng)多晶顆粒1221中值粒徑與單晶顆粒的中值粒徑比值在0.3至0.5之間時(shí)，所述正極極片100性能較好，所述儲(chǔ)能裝置200循環(huán)性能也有所提升。

[0147]

請(qǐng)參見表1及表2，實(shí)施例1與實(shí)施例9至實(shí)施例11中，第二活性物質(zhì)層122的厚度不同，其中實(shí)施例9的第二活性物質(zhì)層122的厚度為180μm，25℃下500圈循環(huán)容量保持率最低，為86.3％。實(shí)施例11的第二活性物質(zhì)層122的厚度為130μm，25℃下500圈循環(huán)容量保持率最高，為88.4％。由實(shí)施例1與實(shí)施例9至實(shí)施例11的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的正極極片100，且第一活性物質(zhì)層121厚度相同的情況下，隨著第二活性物質(zhì)層122厚度增加，儲(chǔ)能裝置200的循環(huán)容量保持率會(huì)下降。這是因?yàn)榈诙钚晕镔|(zhì)層122厚度增加可以提升儲(chǔ)能裝置200的能量密度，但是第二活性物質(zhì)層122越厚，電子和離子傳輸距離越大，越不利于循環(huán)性能的提升。

[0148]

請(qǐng)參見表1及表2，實(shí)施例12的儲(chǔ)能裝置200的25℃下500圈循環(huán)容量保持率稍低，為87.5％。實(shí)施例13的儲(chǔ)能裝置200的25℃下500圈循環(huán)容量保持率稍低，為86.9％。由實(shí)施例1與實(shí)施例12以及實(shí)施例13的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的正極極片100，且第二活性物質(zhì)層122厚度相同的情況下，最遠(yuǎn)離集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度較小，第二活性物質(zhì)層122的多晶顆粒1221部分產(chǎn)生破碎，導(dǎo)致循環(huán)性能稍差；最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度與最遠(yuǎn)離集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度均變大的情況下，由于第一活性物質(zhì)層121的增加，極片中單晶顆粒的比例增加，導(dǎo)致循環(huán)性能較差。

[0149]

請(qǐng)參見表1及表2，實(shí)施例14的儲(chǔ)能裝置200的25℃下500圈循環(huán)容量保持率稍高，為88％。實(shí)施例15的儲(chǔ)能裝置200的25℃下500圈循環(huán)容量保持率較低，為86.5％。由實(shí)施例1與實(shí)施例14以及實(shí)施例15的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的正極極片100，且第一活性物質(zhì)層121與第二活性物質(zhì)層122的厚度相同的情況下，多晶顆粒1221真密度較低，相同厚度下活性物質(zhì)層的面密度也較低，循環(huán)容量保持率會(huì)變高，這是由于活性物質(zhì)層的面密度越低，離子和電子傳輸路徑越短，容量保持率會(huì)有一定的提升。

[0150]

請(qǐng)參見表1及表2，實(shí)施例16的25℃下500圈循環(huán)容量保持率較低，僅為84.5％，由實(shí)施例1與實(shí)施例16的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，當(dāng)正極極片100均采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一

層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的情況下，實(shí)施例16的正極極片第二活性物質(zhì)層122中多晶顆粒1221間的間隙無法容納與之相鄰第一活性物質(zhì)層121中的單晶顆粒，當(dāng)正極極片100壓實(shí)較高時(shí)，由于顆粒間無法形成密排結(jié)構(gòu)，多晶顆粒1221更容易壓損，導(dǎo)致循環(huán)性能變差。

[0151]

請(qǐng)參見表1及表2，實(shí)施例17的儲(chǔ)能裝置200的25℃下500圈循環(huán)容量保持率稍低為86.9％，由實(shí)施例1與實(shí)施例17的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的正極極片100，且第二活性物質(zhì)層122的厚度相同的情況下，最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的厚度較小時(shí)，不能顯著增加顆粒與集流體110之間的接觸，最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121過厚導(dǎo)致極片中單晶顆粒過多，影響正極極片100的壓實(shí)密度，導(dǎo)致在同樣壓實(shí)密度下，實(shí)施例17的循環(huán)性能稍差。

[0152]

實(shí)施例18的儲(chǔ)能裝置200的25℃下500圈循環(huán)容量保持率為88.2％。實(shí)施例19的儲(chǔ)能裝置200的25℃下500圈循環(huán)容量保持率為88.1％。由實(shí)施例1、實(shí)施例18及實(shí)施例19的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的正極極片100，且第一活性物質(zhì)層121和第二活性物質(zhì)層122的厚度相同的情況下，最遠(yuǎn)離所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的第一單晶顆粒1211的中值粒徑大于最靠近所述集流體110的第一活性物質(zhì)層121的第一單晶顆粒1211的中值粒徑，儲(chǔ)能裝置200循環(huán)容量保持率更高。

[0153]

請(qǐng)參見表1及表2，實(shí)施例20的儲(chǔ)能裝置200的25℃下500圈循環(huán)容量保持率稍高，為88％，實(shí)施例21的儲(chǔ)能裝置200的25℃下500圈循環(huán)容量保持率較高，為88.5％。由實(shí)施例1與實(shí)施例20及實(shí)施例21的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，采用兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的正極極片100，且第一活性物質(zhì)層121與第二活性物質(zhì)層122的厚度相同的情況下，第二活性物質(zhì)層122中具有第二單晶顆粒1222，單晶顆粒的循環(huán)性能優(yōu)于多晶顆粒1221，第二活性物質(zhì)層122中的第二單晶顆粒1222起到骨架支撐作用，減少多晶顆粒1221被壓碎，改善循環(huán)性能。

[0154]

實(shí)施例22的儲(chǔ)能裝置200的25℃下500圈循環(huán)容量保持率為88.4％。由實(shí)施例1及實(shí)施例22的測(cè)試數(shù)據(jù)可知，在活性物質(zhì)層120的厚度相同的情況下，采用三層第一活性物質(zhì)層121及兩層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置相較于兩層第一活性物質(zhì)層121與一層第二活性物質(zhì)層122依次交替設(shè)置的正極極片100，在正極極片100壓實(shí)密度較高的情況下不破壞第二活性物質(zhì)層122中的多晶顆粒1221，進(jìn)一步的兼顧儲(chǔ)能裝置200的能量密度與循環(huán)性能。

[0155]

請(qǐng)參見圖7，本技術(shù)還提供了一種用電設(shè)備300，其包括：用電設(shè)備本體310，以及本技術(shù)提供的儲(chǔ)能裝置200，所述儲(chǔ)能裝置200為所述用電設(shè)備本體310進(jìn)行供電。

[0156]

本技術(shù)實(shí)施例的用電設(shè)備300可以為但不限于為手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、臺(tái)式電腦、智能手環(huán)、智能手表、電子閱讀器、游戲機(jī)、玩具等電子設(shè)備；此外，用電設(shè)備300還可以為汽車、家用電器等。

[0157]

可以理解地，本實(shí)施方式中所述的用電設(shè)備300僅僅為所述儲(chǔ)能裝置200所應(yīng)用的用電設(shè)備300的一種形態(tài)，不應(yīng)當(dāng)理解為對(duì)本技術(shù)提供的用電設(shè)備300的限定，也不應(yīng)當(dāng)理解為對(duì)本技術(shù)各個(gè)實(shí)施方式提供的儲(chǔ)能裝置200的限定。

[0158]

在本技術(shù)中提及“實(shí)施例”“實(shí)施方式”意味著，結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)

或特性可以包含在本技術(shù)的至少一個(gè)實(shí)施例中。在說明書中的各個(gè)位置出現(xiàn)所述短語并不一定均是指相同的實(shí)施例，也不是與其它實(shí)施例互斥的獨(dú)立的或備選的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員顯式地和隱式地理解的是，本技術(shù)所描述的實(shí)施例可以與其它實(shí)施例相結(jié)合。此外，還應(yīng)該理解的是，本技術(shù)各實(shí)施例所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性，在相互之間不存在矛盾的情況下，可以任意組合，形成又一未脫離本技術(shù)技術(shù)方案的精神和范圍的實(shí)施例。

[0159]

最后應(yīng)說明的是，以上實(shí)施方式僅用以說明本技術(shù)的技術(shù)方案而非限制，盡管參照以上較佳實(shí)施方式對(duì)本技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本技術(shù)的技術(shù)方案進(jìn)行修改或等同替換都不應(yīng)脫離本技術(shù)技術(shù)方案的精神和范圍。技術(shù)特征：

1.一種正極極片，其特征在于，包括：集流體；以及活性物質(zhì)層；所述活性物質(zhì)層設(shè)置于所述集流體的表面，所述活性物質(zhì)層包括至少兩層第一活性物質(zhì)層及至少一層第二活性物質(zhì)層，所述第一活性物質(zhì)層與所述第二活性物質(zhì)層沿所述集流體與所述活性物質(zhì)層的層疊方向上依次交替層疊設(shè)置，所述活性物質(zhì)層中最靠近所述集流體及最遠(yuǎn)離所述集流體的膜層均為第一活性物質(zhì)層，所述第一活性物質(zhì)層包括第一單晶顆粒，所述第二活性物質(zhì)層包括多晶顆粒，最遠(yuǎn)離所述集流體的第一活性物質(zhì)層的厚度大于最靠近所述集流體的第一活性物質(zhì)層的厚度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正極極片，其特征在于，最遠(yuǎn)離所述集流體的第一活性物質(zhì)層的第一單晶顆粒的中值粒徑大于最靠近所述集流體的第一活性物質(zhì)層的第一單晶顆粒的中值粒徑。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正極極片，其特征在于，沿所述集流體與所述活性物質(zhì)層的層疊方向上，每層所述第一活性物質(zhì)層的厚度d11的取值范圍為：10μm≤d11≤30μm，所述至少兩層第一活性物質(zhì)層的總厚度d1的取值范圍為：20μm≤d11≤50μm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正極極片，其特征在于，沿所述集流體與所述活性物質(zhì)層的層疊方向上，每層所述第二活性物質(zhì)層的厚度d12的取值范圍為：60μm≤d11≤180μm，所述至少一層第二活性物質(zhì)層的總厚度d2的取值范圍為：130μm≤d1≤180μm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正極極片，其特征在于，所述第二活性物質(zhì)層還包括第二單晶顆粒，所述第二單晶顆粒分散于所述多晶顆粒中，所述第二活性物質(zhì)層中的所述第二單晶顆粒的質(zhì)量分?jǐn)?shù)的范圍為5％至10％。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的正極極片，其特征在于，所述活性物質(zhì)層的面密度cw的取值范圍為：12g/cm2≤cw≤22g/cm2；所述多晶顆粒的真密度ρ的取值范圍為：4.0g/cm3≤ρ≤4.5g/cm3。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的正極極片，其特征在于，所述第一單晶顆粒的中值粒徑d1與多晶顆粒的中值粒徑d2的比值范圍為：8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的正極極片，其特征在于，所述第一單晶顆粒的中值粒徑d1的取值范圍為：2μm≤d1≤5μm，所述多晶顆粒的中值粒徑d2的取值范圍為：6μm≤d2≤14μm。9.一種儲(chǔ)能裝置，其特征在于，包括：電解液；負(fù)極極片，所述負(fù)極極片至少部分浸漬于所述電解液中；隔膜，位于所述負(fù)極極片的一側(cè)，且至少部分浸漬于所述電解液中，以及權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的正極極片，所述正極極片設(shè)置于所述隔膜背離所述負(fù)極極片的一側(cè)且至少部分浸漬于所述電解液中。10.一種用電設(shè)備，其特征在于，包括：用電設(shè)備本體，以及權(quán)利要求9所述的儲(chǔ)能裝置，所述儲(chǔ)能裝置為所述用電設(shè)備本體進(jìn)行供電。

技術(shù)總結(jié)

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N正極極片、儲(chǔ)能裝置及用電設(shè)備。所述正極極片包括集流體以及活性物質(zhì)層；活性物質(zhì)層設(shè)置于集流體的表面；活性物質(zhì)層包括至少兩層第一活性物質(zhì)層及至少一層第二活性物質(zhì)層，第一活性物質(zhì)層與第二活性物質(zhì)層沿集流體與活性物質(zhì)層的層疊方向上依次交替層疊設(shè)置；活性物質(zhì)層中最靠近集流體及最遠(yuǎn)離集流體的膜層均為第一活性物質(zhì)層；第一活性物質(zhì)層包括第一單晶顆粒，第二活性物質(zhì)層包括多晶顆粒；最遠(yuǎn)離集流體的第一活性物質(zhì)層的厚度大于最靠近集流體的第一活性物質(zhì)層的厚度。本申請(qǐng)的正極極片可以具有較高的壓實(shí)密度、較高的克容量、倍率性能及循環(huán)性能，且可以較好的降低正極極片的殘堿濃度及成本。的降低正極極片的殘堿濃度及成本。的降低正極極片的殘堿濃度及成本。

技術(shù)研發(fā)人員：文佳琪

受保護(hù)的技術(shù)使用者：廈門海辰儲(chǔ)能科技股份有限公司

技術(shù)研發(fā)日：2023.02.23

技術(shù)公布日：2023/5/4