成果簡(jiǎn)介:
集成電路技術(shù)作為一個(gè)國(guó)家國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)防建設(shè)的戰(zhàn)略核心,一直受到我國(guó)政府的高度重視。作為電子信息材料的重要組成部分,電子封裝銅合金在集成電路中起著支撐
芯片、傳遞信號(hào)、散失集成電路工作時(shí)產(chǎn)生的熱量的重要作用。目前已開(kāi)發(fā)出的電子封裝銅合金有Cu-Ni-Si、Cu-Fe、Cu-Fe-P、Cu-Cr-Zr、Cu-Ag 等。但是我國(guó)在Cu-Cr-Zr 和Cu-Ni-Si 合金研制中與國(guó)外相比長(zhǎng)期處于落后狀態(tài),且大量依賴進(jìn)口。本項(xiàng)目開(kāi)發(fā)了微合金化Cu-Cr-Zr 和Cu-Ni-Si 合金,對(duì)合金的成分設(shè)計(jì)和制備加工工藝進(jìn)行了研究,為我國(guó)電子封裝銅合金的研制與開(kāi)發(fā)提供了重要的技術(shù)支撐,取得了顯著的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。
(1)發(fā)明了系列微合金化Cu-Cr-Zr 和Cu-Ni-Si 合金。在Cu-Cr-Zr 和Cu-Ni-Si 合金中加入微量合金元素與
稀土元素,成功設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)了Cu-Cr-Zr-(Ce、Y、Nd)、Cu-Cr-Zr-(Ni、Ti)-Re、Cu-Cr-Zr-(Ag、P)-Re 和Cu-Ni-Si-(Ag、P、Cr)等一系列合金,其性能指標(biāo)完全滿足實(shí)際需要。
(2)開(kāi)發(fā)了冷變形與時(shí)效結(jié)合的組合加工技術(shù)。系統(tǒng)研究了時(shí)效前預(yù)冷變形,以及微量合金元素和稀土元素相互作用對(duì)Cu-Cr-Zr 和Cu-Ni-Si 合金時(shí)效析出的影響及其規(guī)律;通過(guò)改善加工工藝(多次冷變形和時(shí)效相結(jié)合的方式)提高了合金的綜合性能,發(fā)現(xiàn)合金元素和稀土元素的添加提高了合金的抗拉強(qiáng)度、導(dǎo)電率、硬度和抗軟化溫度,如Cu-Ni-Si-P 合金的抗拉強(qiáng)度達(dá)到804 MPa,在國(guó)內(nèi)外少有報(bào)道;特別對(duì)Cu-Cr-Zr-(Ce、Y)合金在250-400 °C范圍內(nèi)時(shí)效特性和綜合性能以及析出相進(jìn)行了研究,發(fā)現(xiàn)時(shí)效析出相為體心立方Cr 相和Cu4Zr 相,在該溫度范圍內(nèi)的時(shí)效性能研究在國(guó)內(nèi)外幾乎沒(méi)有報(bào)道,具有一定的創(chuàng)新性。
(3)優(yōu)化和制定了Cu-Cr-Zr 和Cu-Ni-Si 合金的熱加工關(guān)鍵技術(shù)。系統(tǒng)考察了Cu-Cr-Zr和Cu-Ni-Si 合金在高溫?zé)嶙冃螚l件下的組織結(jié)構(gòu)變化、動(dòng)態(tài)再結(jié)晶機(jī)理以及析出相的強(qiáng)化機(jī)制,計(jì)算了合金在熱變形中的參數(shù),建立了合金的熱加工模型,最終制定了Cu-Cr-Zr 和Cu-Ni-Si 合金的熱加工工藝。
聲明:
“高性能電子封裝銅合金關(guān)鍵制備技術(shù)與應(yīng)用” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)