一種基于二維
功能材料制備柔性光探測器的方法,本發(fā)明涉及光探測器的制備方法。本發(fā)明是要解決現(xiàn)有的現(xiàn)有的柔性光探測器的光刻工藝技術(shù)成本高且難以實現(xiàn)批量化生產(chǎn)的技術(shù)問題。方法:一、制備
半導(dǎo)體材料單晶硒化鎵或單晶硫化鎵;二、用思高膠帶在半導(dǎo)體材料表面粘貼-剝離;三、將二維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)移至基底上;四、將銅制掩膜覆到經(jīng)步驟三處理的基底上,沉積金層和鉻層;再去掉掩膜退火處理;五、利用半導(dǎo)體測試儀,篩選出步驟四得到的光探測器半成品中對紫外光有光電響應(yīng)的電極對,即得到基于二維功能材料制備柔性光探測器。該光探測器紫外光響應(yīng)度高達100AW-1以上??勺鳛槲㈦娮悠骷?、光敏器件用于信息傳輸和儲存領(lǐng)域。
聲明:
“基于二維功能材料制備柔性光探測器的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)