本發(fā)明公開了一種電寫磁讀磁電存儲單元及制備方法,涉及
功能材料與信息技術(shù)領(lǐng)域,用以解決現(xiàn)有技術(shù)中的磁電存儲單元,存在需要外加偏置磁場激發(fā)磁致伸縮材料的壓磁效應(yīng),導(dǎo)致存儲單元體積增加,信噪比降低,以及存儲密度降低的問題。該存儲單元包括:底電極層形成在所述襯底基片之上;壓電層形成在底電極層之上;自由層形成在壓電層之上;非磁隔離層形成在自由層之上;固定層形成在非磁隔離層之上;頂電極層形成在所述固定層之上;自由層、非磁隔離層和固定層構(gòu)成磁隧道結(jié);壓電層和磁隧道結(jié)構(gòu)成磁電異質(zhì)結(jié)構(gòu);頂電極層和底電極層分別作為磁電異質(zhì)結(jié)構(gòu)的上下電極而對磁電異質(zhì)結(jié)構(gòu)施加電場,電場方向垂直于磁電異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
聲明:
“電寫磁讀磁電存儲單元及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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