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      非閃爍量子點(diǎn)及其制備方法

      840   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-18 15:08:02
      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體功能材料技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種非閃爍量子點(diǎn)及其制備方法。本發(fā)明將殼層生長(zhǎng)溫度控制在比核體生長(zhǎng)溫度高5~80℃,使殼層源各組分在高溫條件下反應(yīng),促進(jìn)殼層源各離子的相互滲透,消除殼層晶體內(nèi)部的缺陷,進(jìn)而得到晶相穩(wěn)定的富集ZnSe材料,避免富集ZnSe材料被空氣中的氧氣氧化;同時(shí),本發(fā)明還通過(guò)殼層源添加方式的設(shè)置,避免殼層源的各組分單獨(dú)成核,進(jìn)而得到以富集ZnSe材料為殼層的核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)。利用上述方案得到的量子點(diǎn)的亮態(tài)比為90~100%,屬于典型的非閃爍量子點(diǎn)。
      聲明:
      “非閃爍量子點(diǎn)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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