本發(fā)明提供了一種正型QLED器件的制備方法,包括以下步驟:提供陽(yáng)極和置換配體溶液;在所述陽(yáng)極上沉積量子點(diǎn)預(yù)制薄膜,所述量子點(diǎn)預(yù)制薄膜由表面含有初始配體的量子點(diǎn)組成,將所述量子點(diǎn)預(yù)制薄膜與所述置換配體溶液中的置換配體進(jìn)行原位配體交換,將所述初始配體置換為置換配體,得到量子點(diǎn)發(fā)光層,其中,所述置換配體至少含有兩個(gè)活性官能團(tuán);在所述量子點(diǎn)發(fā)光層表面制備電子功能層;在所述電子功能層上制備陰極。
聲明:
“正型QLED器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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