本發(fā)明屬于
鈣鈦礦LED器件發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種雙界面修飾層鈣鈦礦納米晶發(fā)光器件及其制備方法,雙界面修飾層鈣鈦礦納米晶發(fā)光器件中陽極上依次旋涂空穴注入傳輸層、第一界面修飾層,空穴傳輸層、第二界面修飾層、發(fā)光層等;空穴傳輸層中嵌入的界面修飾層。本發(fā)明通過多方面整合界面修飾功能來提高器件效率,器件中的第一界面修飾層調(diào)控界面接觸能級,第二界面修飾層鈍化鈣鈦礦與空穴接觸面的缺陷:通過界面修飾使其接觸能級受到管理,實(shí)現(xiàn)載流子注入平衡的濃度梯度調(diào)控。鈣鈦礦材料作為新型離子型半導(dǎo)體,穩(wěn)定性差,不平整的界面容易引起較多缺陷,改善空穴傳輸層與鈣鈦礦發(fā)光層界面接觸,降低器件中漏電流。
聲明:
“雙界面修飾層鈣鈦礦納米晶發(fā)光器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)