本發(fā)明提供了合金半導(dǎo)體薄膜及制備方法和應(yīng)用,該合金半導(dǎo)體薄膜的化學(xué)式為Hf
xW
yV
1?x?yO
2,其中,0<x<1,0<y<1,本發(fā)明的合金半導(dǎo)體薄膜,利用HfO
2的帶隙(5.5eV)大于VO
2的帶隙(2.6eV),使用Hf
4+離子部分取代V
4+離子,來提高VO
2的光學(xué)帶隙有效地提升薄膜的可見光透過率。同時,W離子為+6價,在VO
2中摻入W
6+離子相當(dāng)于引入了載流子,載流子引入越多,越容易驅(qū)動電子相變的發(fā)生,因此降低了相變溫度,選擇Hf
4+離子和W
6+離子部分取代V
4+離子制備了Hf
xW
yV
1?x?yO
2合金體系從而實現(xiàn)了VO
2的高可見光透過率和對其相變溫度的調(diào)節(jié)。
聲明:
“VO2合金半導(dǎo)體薄膜及制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)