本發(fā)明涉及一種碳/碳
復(fù)合材料表面晶粒細(xì)小碳化硅涂層的制備方法,對(duì)經(jīng)打磨拋光清洗干燥后的碳/碳復(fù)合材料進(jìn)行原子氧氧化處理,原子氧氧化處理后碳/碳復(fù)合材料表面呈現(xiàn)“絨狀”,這些絨狀表面可提供大量的形核點(diǎn),有助于SiC涂層的形核,使其在碳/碳表面形成更加均勻致密的涂層。再利用包埋法在氬氣保護(hù)的真空爐中在經(jīng)過(guò)原子氧氧化的碳/碳復(fù)合材料表面制備碳化硅涂層,制備的SiC涂層晶粒尺寸為1?5μm,傳統(tǒng)包埋法制備的SiC涂層晶粒尺寸約20?100μm。相比未經(jīng)過(guò)原子氧氧化處理的試樣氧化后,表面出現(xiàn)大量的孔洞和裂紋,孔洞尺寸約20μm?500μm。而經(jīng)過(guò)原子氧氧化處理的試樣氧化后,表面孔洞較少,孔洞尺寸約20μm?110μm,且表面形成的玻璃態(tài)較連續(xù),能夠有效保護(hù)C/C復(fù)合材料。
聲明:
“碳/碳復(fù)合材料表面晶粒細(xì)小碳化硅涂層的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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