本發(fā)明公開了一種SiC納米線增強(qiáng)Cf/SiC陶瓷基
復(fù)合材料,由
碳纖維編織體、熱解碳界面層、原位生長(zhǎng)SiC納米線和SiC基體組成,其特征在于所述的熱解碳界面層包覆在碳纖維表面,厚度為0.1~0.2μm;所述的熱解碳界面層也包覆在SiC納米線表面,厚度為0.02~0.04μm;所述的SiC納米線直徑為20~150nm,納米線數(shù)量比為20~50%的SiC納米線兩端粘結(jié)在碳纖維的熱解碳表面上,數(shù)量比為10~30%的SiC納米線一端粘結(jié)在碳纖維的熱解碳表面上;SiC基體填充在碳纖維和SiC納米線之間的空隙中;所述的復(fù)合材料體積密度大于1.8g/cm3,開口孔隙率小于10%。
聲明:
“SiC納米線增強(qiáng)Cf/SiC陶瓷基復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)