本發(fā)明公開了一種具有核殼結(jié)構(gòu)的納米硅
復(fù)合材料的制備方法,直接采用高純度半導(dǎo)體(9N級晶硅)或太陽能級(6N級晶硅)鑄錠的硅棒,采用電弧放電、高溫等離子體氣化、活化處理、接枝反應(yīng)等步驟得到一種核殼結(jié)構(gòu)硅納米復(fù)合材料,成品轉(zhuǎn)化率和純度較高,制得的硅納米復(fù)合材料由于硅納米表面具有核殼結(jié)構(gòu),不容易發(fā)生團(tuán)聚和氧化,容易保存,制備方法簡單易行,適合規(guī)?;a(chǎn)。
聲明:
“納米硅復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)