本發(fā)明提供了一種鉍系半導(dǎo)體Bi
2MO
6復(fù)合g?C
3N
4的制備方法,屬于
復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。具體制備方法的步驟為:首先通過(guò)煅燒法制備得到g?C
3N
4,然后對(duì)其進(jìn)行半導(dǎo)體復(fù)合,實(shí)現(xiàn)了Bi
2MO
6的復(fù)合,制備得到了一種鉍系半導(dǎo)體Bi
2MO
6復(fù)合的g?C
3N
4。該半導(dǎo)體復(fù)合材料原料廉價(jià)易得,制備方法簡(jiǎn)單,制造成本低,綠色環(huán)保,化學(xué)性能穩(wěn)定,為高性能光催化材料的開發(fā)和應(yīng)用提供思路。
聲明:
“鉍系半導(dǎo)體Bi2MO6復(fù)合g-C3N4的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)