本發(fā)明公開了一種襯底上單晶薄膜的通孔刻蝕方法,包括以下步驟:在襯底上單晶薄膜表面形成通孔窗口圖形掩膜層;通過(guò)窗口刻蝕單晶薄膜;去除圖形掩膜層,得到刻蝕了通孔圖形的單晶薄膜;該方法與主流的簡(jiǎn)單粗放地采用傳統(tǒng)刻蝕鈮酸鋰條形不同,而是通過(guò)具有高刻蝕選擇比的掩膜層來(lái)高精密地刻蝕穿孔鈮酸鋰薄膜,且可與下層襯底金屬互聯(lián),實(shí)現(xiàn)襯底與鈮酸鋰集成和控制;為鈮酸鋰基器件與下層襯底進(jìn)一步電氣連接提供重要技術(shù)性基礎(chǔ)。
聲明:
“襯底上單晶薄膜的通孔刻蝕方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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