本發(fā)明公開了一種以
石墨烯為骨架的硅碳薄膜負極及制備方法,屬于鋰離子電池領(lǐng)域。本發(fā)明所述的制備方法包括以下步驟:步驟1.在襯底上生長垂直石墨烯骨架;步驟2.將生長的垂直石墨烯骨架進行等離子處理;步驟3.在經(jīng)步驟2處理后的垂直石墨烯骨架上生長硅材料。本發(fā)明設(shè)計科學(xué),方法簡單,操作簡便。本發(fā)明創(chuàng)造性地先在襯底上生長垂直石墨烯,而后再在垂直石墨烯骨架上生長硅材料,從而可以將疏松的硅薄膜嵌入到垂直石墨烯片層之間形成硅碳負極,能很好地克服硅
負極材料的問題,并且可以充分發(fā)揮垂直石墨烯的面內(nèi)導(dǎo)電性能,提高離子嵌入與析出效率,對于制備大容量鋰離子電池特別是
固態(tài)電池具有重要意義。
聲明:
“以石墨烯為骨架的硅碳薄膜負極及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)