本發(fā)明涉及一種以
石墨烯為模板低溫熔鹽法合成二維SiC超薄納米結(jié)構(gòu)及其制備方法。該方法以Si粉為原料,以石墨烯為模板,以NaCl和NaF混合物為熔鹽介質(zhì),在一定的氣氛和1050℃~1200℃低溫條件下通過熔鹽法進(jìn)行合成,隨后用水對含有熔鹽的產(chǎn)物分別進(jìn)行溶解、離心、過濾等反復(fù)操作3?6次,將殘存的熔鹽去除,干燥后即可得到本發(fā)明所述的二維SiC超薄納米結(jié)構(gòu)
半導(dǎo)體材料。制備n型SiC二維超薄納米結(jié)構(gòu)材料時,選擇在N2氣氛下控制工藝對合成SiC進(jìn)行摻N;制備p型SiC二維超薄納米結(jié)構(gòu)材料時,選擇在Ar氣氛下原料中添加B、Al、Ga或Be作為摻雜劑。本發(fā)明制備的二維SiC納米結(jié)構(gòu)可用于在高溫、高輻射、強(qiáng)腐蝕性等惡劣環(huán)境的高頻和高功率微電子器件及鋰離子電池
負(fù)極材料。
聲明:
“以石墨烯為模板熔鹽法合成二維SiC超薄納米結(jié)構(gòu)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)