本發(fā)明公開了一種在硅納米線及其陣列中形成裂紋的方法,屬于
新材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將提出了一種在硅納米線及其陣列中快速形成裂紋的方法。該方法工藝簡(jiǎn)單,成本低廉,可工業(yè)化生產(chǎn),可大規(guī)模用于硅納米線及其陣列的剝離與轉(zhuǎn)移,在鋰離子電池、
太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
聲明:
“在硅納米線及其陣列中形成裂紋的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)