本發(fā)明涉及
半導(dǎo)體材料V
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5@Ag、V
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5@Cu的制備及應(yīng)用,包括:將
納米材料V
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5在超聲條件下分散于含有M離子及化合物的溶液中,使納米V
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5均勻分散,然后在攪拌下陳化一段時(shí)間,使納米V
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5對(duì)M離子及化合物的吸附達(dá)到飽和;將上述溶液離心分離,將沉淀即吸附了M離子及化合物的納米V
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5漂洗后攪拌分散在一定濃度的還原劑溶液中,充分反應(yīng),然后分離、漂洗、干燥,即得V
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5@M納米半導(dǎo)體
復(fù)合材料。該方法操作簡(jiǎn)單,時(shí)間短,成本低,環(huán)境友好,重復(fù)性好,效率高,能快速有效的制備納米半導(dǎo)體復(fù)合材料,具有普適性和規(guī)模生產(chǎn)價(jià)值。本發(fā)明制備的納米半導(dǎo)體復(fù)合材料V
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5@Ag、V
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5@Cu提高了鋰離子電池
正極材料電化學(xué)性能,在電化學(xué)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“半導(dǎo)體材料V2O5@Ag、V2O5@Cu的制備及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)