本發(fā)明提供一種單晶薄膜體聲波諧振器及其制備方法和應(yīng)用。該諧振器按照從下向上的順序依次包括襯底層、布拉格反射層、第一鍵合層、第二鍵合層、壓電層和電極層;所述電極層的寬度小于所述壓電層;所述諧振器還包括第一氧化硅層和第二氧化硅層,所述第一氧化硅層和所述第二氧化硅層分別包圍所述第一鍵合層和所述第二鍵合層設(shè)置,所述第一氧化硅層和所述第二氧化硅層內(nèi)分別設(shè)有若干個(gè)水平排列的第一空氣孔和若干個(gè)水平排列的第二空氣孔;若干個(gè)所述第一空氣孔與若干個(gè)所述第二空氣孔一一對(duì)應(yīng)并相通;所述壓電層材料為AlN或者鈮酸鋰。本發(fā)明的諧振器可以提高品質(zhì)因數(shù)并降低功率損耗。
聲明:
“單晶薄膜體聲波諧振器及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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