本發(fā)明涉及一種用立方Ia3d結(jié)構(gòu)介孔碳CMK?8直接
電化學(xué)傳感器測(cè)定痕量卡巴氧的方法。本發(fā)明采用立方Ia3d結(jié)構(gòu)介孔碳CMK?8修飾玻碳電極,將所構(gòu)建的傳感器用于卡巴氧的直接測(cè)定。當(dāng)卡巴氧在0.5nM~500.0nM濃度范圍內(nèi)時(shí),電化學(xué)信號(hào)響應(yīng)與卡巴氧的濃度呈良好的線性關(guān)系,方法檢出限為74.4pM。本發(fā)明顯著提高了卡巴氧檢測(cè)的靈敏度,對(duì)于低濃度卡巴氧的檢測(cè)易于自動(dòng)化。
聲明:
“用立方Ia3d結(jié)構(gòu)介孔碳CMK-8直接電化學(xué)傳感器檢測(cè)痕量卡巴氧的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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