本發(fā)明涉及用于檢測(cè)流體中的離子的微傳感器(100),該微傳感器(100)包括:場(chǎng)效應(yīng)晶體管(5),該場(chǎng)效應(yīng)晶體管(5)具有源極(51)、漏極(52)、在源極(51)與漏極(52)之間的有源區(qū)(54)以及被設(shè)置在有源區(qū)(54)上方的柵極(53);有源層(4),在該有源層(4)中形成有源區(qū)(54);介電層(3),該介電層(3)被設(shè)置在有源層(4)下方;支撐基板(1),該支撐基板(1)被定位在介電層(3)下方并且包括至少一個(gè)掩埋腔(2),所述至少一個(gè)掩埋腔(2)位于晶體管(5)的柵極(53)下方以便容納流體。
聲明:
“用于檢測(cè)化學(xué)物質(zhì)的微傳感器及相關(guān)的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)