本發(fā)明提供了一種含有鉍和鹵素的
半導(dǎo)體材料及其制備與分析方法。所述的含有鉍和鹵素的半導(dǎo)體材料,其特征在于,其化學(xué)式為Cs3Bi2BrxI9?x,其中,x=1?6.85。本發(fā)明的通式為Cs3Bi2BrxI9?x的半導(dǎo)體材料,具有可調(diào)節(jié)的直接帶隙能,在本發(fā)明的實(shí)施例中最小可調(diào)節(jié)至1.99eV,低于現(xiàn)有材料Cs3Bi2Br9或Cs3Bi2I9的帶隙能,能夠吸收可見光譜中更寬的波長范圍。
聲明:
“含有鉍和鹵素的半導(dǎo)體材料及其制備與分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)