本發(fā)明公開了一種研磨終點(diǎn)探測方法,包括如下步驟:發(fā)射一激光至晶圓的被研磨層;晶圓對(duì)激光進(jìn)行反射;通過分析經(jīng)由晶圓反射的反射光的光強(qiáng)信號(hào)變化來判定是否到達(dá)研磨終點(diǎn)。還公開了研磨終點(diǎn)探測裝置及研磨機(jī)臺(tái)。本發(fā)明利用晶圓的被研磨層與下一層材料反射率的差異性,通過分析反射光的光強(qiáng)變化來判斷是否研磨到下一層反射率不同的材料,當(dāng)晶圓的被研磨層被局部研磨完露出下層反射率不同的材料時(shí),反射光信號(hào)開始變化,當(dāng)晶圓上被研磨層的全部被研磨完后反射光信號(hào)變化趨緩,即可通過研磨終點(diǎn)探測程序抓到研磨終點(diǎn)。由于研磨終點(diǎn)光學(xué)探測信號(hào)比較明顯,因此探測穩(wěn)定性和可重復(fù)性更高,且可以廣泛適用于半導(dǎo)體制造技術(shù)中的多種化學(xué)研磨工藝。
聲明:
“研磨終點(diǎn)探測方法、裝置及研磨機(jī)臺(tái)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)