本發(fā)明涉及基于砷化鎵基含磷化合物
半導體材料的紫外增強光電探測器及制作方法,其特征在于以半絕緣砷化鎵單晶材料作為探測器的襯底,在其上采用外延方法生長特定的寬禁帶含磷化合物薄膜材料作為有源光吸收層和窗口層,以達到紫外增強光吸收效果并消除其對紅外光的響應,并采用合適的摻雜方式在其中構成PN結。外延材料采用特定的選擇刻蝕工藝制作出臺面結構,經(jīng)鈍化保護后制作出接觸電極,并選用相應的抗反射增透膜進一步提高其短波響應。此種光電探測器可應用于火焰探測、紫外和可見光波段光度測量、尾焰跟蹤、生物及化學氣體檢測、紫外線防護等方面,并可與紅外波段的光電探測器進行單片或混合集成構成雙色探測器。
聲明:
“采用砷化鎵基含磷材料的紫外增強光電探測器及制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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