本發(fā)明公開了一種調(diào)整CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)后晶圓膜厚均勻性的方法,調(diào)整CMP后晶圓膜厚均勻性的方法包括:提供一待拋光晶圓;對晶圓進(jìn)行CMP制程;在晶圓上取多個測量點(diǎn),多個測量點(diǎn)在晶圓上陣列排布;測量每個測量點(diǎn)處晶圓的膜厚值;在晶圓上以晶圓的圓心為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系,其中每個測量點(diǎn)在坐標(biāo)系內(nèi)的橫坐標(biāo)為X,縱坐標(biāo)為Y;根據(jù)橫縱坐標(biāo)繪制統(tǒng)計圖,每個測量點(diǎn)在統(tǒng)計圖中的縱坐標(biāo)為對應(yīng)測量點(diǎn)的膜厚值,每個測量點(diǎn)在統(tǒng)計圖中的橫坐標(biāo)為觀察分析統(tǒng)計圖中曲線輪廓,并調(diào)整對晶圓的各區(qū)的拋光壓力。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的調(diào)整CMP后晶圓膜厚均勻性的方法,具有便于控制拋光壓力、晶圓表面厚度均勻性好等優(yōu)點(diǎn)。
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“調(diào)整CMP后晶圓膜厚均勻性的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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