本發(fā)明提供一種提高
芯片平整度的去層方法,提供用于失效分析的芯片并確定失效分析的目標(biāo)區(qū)域及失效分析的層;手動(dòng)研磨目標(biāo)區(qū)域,并研磨至目標(biāo)區(qū)域出現(xiàn)梯度為止;在目標(biāo)區(qū)域的所述梯度位置處填充Pt介質(zhì)以平整研磨表面;對(duì)填充Pt介質(zhì)后的目標(biāo)區(qū)域繼續(xù)手動(dòng)研磨,若研磨至去除了失效分析的層以上的全部金屬層時(shí)還未出現(xiàn)梯度,則研磨停止在失效分析的層上表面的介質(zhì)層上;若研磨再次出現(xiàn)梯度則再次填充Pt介質(zhì)直至將失效分析的層研磨出為止。本發(fā)明通過在研磨時(shí)出現(xiàn)梯度處填充一層介質(zhì),防止研磨梯度進(jìn)一步增加,同時(shí)避免化學(xué)試劑腐蝕下層金屬,大大提高樣品的去層平整度,從而提高失效分析的效率和成功率。
聲明:
“提高芯片平整度的去層方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)