本發(fā)明涉及一種多壁
碳納米管@X復(fù)合電極及其制備方法和應(yīng)用,所述多壁碳納米管@X復(fù)合電極的制備方法如下:S1:通過(guò)直流等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法,在玻璃碳上生長(zhǎng)垂直有序的多壁碳納米管陣列;S2:通過(guò)磁控濺射的方法將活性物質(zhì)X涂覆于?S1所述多壁碳納米管陣列表面;其中,所述多壁碳納米管的直徑為10~300nm,長(zhǎng)度為100~5000nm,多壁碳納米管陣列中管之間的距離為50nm以上。本發(fā)明提供的多壁碳納米管@X復(fù)合電極具有更高的比表面積、優(yōu)異的導(dǎo)電性能、較高的機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性,可以廣泛應(yīng)用于電催化、
電化學(xué)分析、超級(jí)電容器、電池等各種電化學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域。
聲明:
“多壁碳納米管@X復(fù)合電極及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)