本發(fā)明公開了一種雷達(dá)電子控制元件用晶元的加工方法,步驟(1)所述的氮化硅膜沉積方法,該方法采用化學(xué)沉積技術(shù),快速簡便,所述微波功率設(shè)定為750W,該功率能夠保證氮化硅形成的膜厚度較為均勻合適,所述硅源氣體與氮化源氣體的流量比例為1:5,該比例下能夠在保證硅源完全反應(yīng)后,還能利用剩余的氮氣形成無氧的環(huán)境,以保護(hù)氮化硅膜,所述步驟(7):所述電子束光刻膠的去除方法,該方法能夠徹底去除晶元表面多余的光刻膠,所述丙酮溶液和乙醇溶液分別為分析純級的丙酮溶液和無水乙醇溶液,該等級的有機(jī)溶劑,純度高,能夠防止晶元表面的污染。
聲明:
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