本發(fā)明公開(kāi)了一種INALN緩沖層生長(zhǎng)ALN和ALGAN的方法,其采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延生長(zhǎng)系統(tǒng)在襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量ALN和ALGAN,該方法采用下述工藝步驟:(1)在襯底上直接生長(zhǎng)INALN緩沖層或者生長(zhǎng)完ALN或ALGAN形核層后再生長(zhǎng)INALN緩沖層;(2)在INALN緩沖層上生長(zhǎng)高質(zhì)量的ALN或ALGAN結(jié)晶層;(3)進(jìn)行器件結(jié)構(gòu)的多層生長(zhǎng)。利用本方法生長(zhǎng)ALN或ALGAN晶體時(shí),能降低材料的位錯(cuò)密度,改善界面平整度,提高材料的質(zhì)量;同時(shí)增大生長(zhǎng)窗口,使材料生長(zhǎng)更容易,進(jìn)而改善日盲型的紫外探測(cè)器件的性能,大大提高我國(guó)探測(cè)器件的武器裝備水平。而且探測(cè)器件也是民用火災(zāi)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的主要部件。
聲明:
“INALN緩沖層生長(zhǎng)ALN和ALGAN的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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