本發(fā)明揭示了一種利用
石墨烯薄膜作為GaN基LED、紫外光探測器的透明導(dǎo)電電極及其制法與應(yīng)用,該石墨烯薄膜固化結(jié)合于LED、紫外光探測器GaN基片表面。采用化學(xué)氣相沉積或還原氧化法制備石墨烯透明導(dǎo)電薄膜,并利用微加工光刻、刻蝕和金屬沉積的方法制作GaN基LED、紫外光探測器;遷移石墨烯薄膜到LED或紫外光探測器的p型GaN基片上,代替ITO或Ni/Au作為透明導(dǎo)電電極。本發(fā)明采用石墨烯薄膜作為透明導(dǎo)電電極,能夠?qū)崿F(xiàn)低成本、高亮度的發(fā)光器件,擴(kuò)大了碳
納米材料在GaN基光電器件領(lǐng)域的應(yīng)用。
聲明:
“基于石墨烯的透明導(dǎo)電電極及其制法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)