本公開案提供通過在金屬與半導(dǎo)體之間的界面插入V族或III族原子單層,或插入各自由單層形成的雙層,或插入多個所述雙層,減少金屬-半導(dǎo)體(IV族)結(jié)的比接觸電阻的技術(shù)。所得的低比電阻金屬-IV族半導(dǎo)體結(jié)應(yīng)用為半導(dǎo)體設(shè)備中的低電阻電極,所述半導(dǎo)體設(shè)備包括電子設(shè)備(例如晶體管、二極管等)和光電設(shè)備(例如激光器、
太陽能電池、光電探測器等),及/或應(yīng)用為場效應(yīng)晶體管(field?effect?transistor;FET)中的金屬源區(qū)及/或金屬漏區(qū)(或者所述金屬源區(qū)及/或金屬漏區(qū)的一部分)。III族原子單層和V族原子單層主要為有序的原子層,所述原子層形成于IV族半導(dǎo)體的表面并與IV族半導(dǎo)體的表面原子化學(xué)結(jié)合。
聲明:
“通過插入界面原子單層改進與IV族半導(dǎo)體的金屬接觸” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)