本發(fā)明公開(kāi)了一種對(duì)LED
芯片表征進(jìn)行失效檢測(cè)的方法,包括如下步驟:透過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂透鏡觀(guān)察檢測(cè)未開(kāi)封LED芯片上的失效情況;在分析出LED芯片表面有LED芯片裂紋、燒毀腐蝕情況時(shí),基于掃描電子顯微鏡SEM掃描LED芯片裂紋、燒毀腐蝕情況,并基于失效部位輸出形狀、尺寸、大小、結(jié)構(gòu)、顏色信息;基于二次離子質(zhì)譜分析SIMS對(duì)LED芯片表面失效部分成分的污染成分進(jìn)行分析,獲取芯片制造和裝備過(guò)程中附著的污染物和離子殘留物所具有的成分;對(duì)LED芯片進(jìn)行斷面分析。通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例,針對(duì)開(kāi)封前、開(kāi)封后以及斷面整體性分析,可以針對(duì)LED芯片失效得出一個(gè)全面分析的結(jié)果數(shù)據(jù)。
聲明:
“對(duì)LED芯片表征進(jìn)行失效檢測(cè)的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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