隨著微電子技術(shù)的高速發(fā)展,集成電路的規(guī)模越來(lái)越大。由于制造工藝的原因,電路失效是無(wú)法避免的存在,如何快速準(zhǔn)確地查找失效部位是失效分析工作的重點(diǎn)?,F(xiàn)在一般通過EMMI(紅外發(fā)光顯微鏡)、OBIRCH(激光掃描顯微鏡激光誘導(dǎo)電阻率變化)、離子探針等技術(shù)來(lái)定位漏電失效部位,但這些方法儀器昂貴、成本高、周期長(zhǎng)。本發(fā)明利用IC不同濃度的摻雜區(qū)在被氧化腐蝕時(shí)所處的電位不等,反應(yīng)速率不一樣,經(jīng)腐蝕后表面產(chǎn)生不同的顏色;而當(dāng)存在漏電通路時(shí),由于處于同一電位,腐蝕速率相同,顏色就會(huì)表現(xiàn)一樣的原理。通過氫氟酸與硝酸混合液對(duì)IC中的硅產(chǎn)生持續(xù)腐蝕作用,提供了一種分析方便、成本低廉、可靠性高的IC中集電極發(fā)射極漏電的三極管檢測(cè)方法。
聲明:
“雙極IC中集電極發(fā)射極漏電的三極管檢測(cè)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)