本發(fā)明公開了非接觸式判斷
半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的方法。現(xiàn)有方法在測試后會造成半導(dǎo)體材料表面損壞。本發(fā)明方法在待測半導(dǎo)體晶片表面上方布置測量電極和參考電極,電極為透明導(dǎo)電玻璃,導(dǎo)電面朝下;兩個電極的導(dǎo)電面分別接接運算放大器的同向和反向輸入端;測量電極上方設(shè)置加熱用光源。首先關(guān)閉光源,調(diào)節(jié)運算放大器輸出電壓為0,然后開啟光源加熱晶片局部表面,當(dāng)運算放大器有信號輸出,關(guān)閉光源;3~5秒后,檢測運算放大器的輸出電壓極性:如果極性為正,則半導(dǎo)體材料為P型;如果極性為負,則半導(dǎo)體材料為N型。本發(fā)明方法避免了樣品損傷,操作簡單,易實現(xiàn)自動化,同時避免半導(dǎo)體材料因受熱而進入本征激發(fā)狀態(tài),導(dǎo)致判斷失效或者錯誤判斷。
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“非接觸式判斷半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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